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VN1206L-G P002

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1W(Tc) 30V 2V@1mA 1个N沟道 120V 6Ω@ 500mA,10V 230mA 125pF@25V TO-92-3 通孔安装
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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VN1206L-G P002

VN1206L-G P002概述

    电子元器件产品技术手册:VN1206 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

    产品简介


    VN1206是一款由Supertex Inc.生产的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical DMOS FET)。它以其卓越的功率处理能力和出色的温度稳定性而著称,广泛应用于电机控制、转换器、放大器、开关及电源电路等领域。

    技术参数


    以下是VN1206的关键技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(BVDSS):120V
    - 漏栅电压(BVDGS):±30V
    - 栅源电压:±30V
    - 工作和存储温度范围:-55°C至+150°C
    - 电气特性
    - 开启状态漏极电流(ID(ON)):1.0A(在VGS=10V,VDS=10V时)
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):最大为6.0Ω(在VGS=10V,ID=500mA时)
    - 正向传输电导(GFS):300mmho(在VDS=10V,ID=500mA时)
    - 输入电容(CISS):最大为125pF(在VGS=0V,VDS=25V时)
    - 上升时间(tr):最大8.0ns
    - 热阻(θja):132°C/W
    - 开关波形和测试电路
    - 典型上升时间(tr):最大8.0ns
    - 典型下降时间(tf):最大12ns
    - 典型关断延迟时间(td(OFF)):最大18ns

    产品特点和优势


    - 无二次击穿:VN1206不会发生热运行导致的二次击穿现象,这使得它在高功率应用中表现出色。
    - 低功耗驱动需求:仅需较低的驱动功率即可实现高效运行。
    - 易于并联:可以轻松实现多个器件的并联操作。
    - 低输入电容和快速开关速度:优异的热稳定性和高输入阻抗。
    - 内置源漏二极管:增加了可靠性,适合多种应用场景。
    - 高输入阻抗和增益:确保了其在复杂电路中的稳定表现。

    应用案例和使用建议


    VN1206非常适合于各种高功率应用,例如电机控制、电源电路、转换器和开关等。例如,在电机控制系统中,通过精确控制电机的启动和停止,可以显著提高系统的能效和稳定性。
    使用建议:
    - 在使用VN1206时,应确保提供足够的散热措施以避免过热损坏。
    - 考虑到其快速的开关速度,确保电路设计能够匹配其性能要求。
    - 在实际应用中,建议进行充分的测试,确保器件能够在预期的工作条件下可靠运行。

    兼容性和支持


    VN1206采用TO-92封装,易于集成到现有电路中。此外,Supertex Inc.提供了详细的资料和技术支持,包括数据手册、样品和批量订单服务。对于更大规模的应用,可直接联系工厂获取晶圆/芯片的供应情况。

    常见问题与解决方案


    - Q:VN1206的最大连续漏极电流是多少?
    - A:最大连续漏极电流为230mA(在25°C时)。
    - Q:如何避免过热损坏?
    - A:确保良好的散热设计,使用适当的散热片或风扇,特别是在高温环境下使用。
    - Q:VN1206是否符合RoHS标准?
    - A:是的,VN1206采用无铅/符合RoHS标准的包装。

    总结和推荐


    VN1206 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET凭借其卓越的性能、稳定的热性能和广泛的适用性,成为许多高功率应用的理想选择。其独特的特性和优势使其在市场上具备较高的竞争力。强烈推荐用于需要高可靠性、高性能的电力管理电路中。
    总的来说,VN1206是一款值得信赖的产品,适用于各类高功率应用。如果你正在寻找一款可靠的电力管理器件,VN1206是一个不错的选择。

VN1206L-G P002参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 125pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 120V
最大功率耗散 1W(Tc)
Id-连续漏极电流 230mA
Rds(On)-漏源导通电阻 6Ω@ 500mA,10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
5.21mm(Max)
4.19mm(Max)
5.33mm(Max)
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

VN1206L-G P002厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VN1206L-G P002数据手册

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VN1206L-G P002封装设计

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