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JANTXV2N6782

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 15W 20V 81nC(Max) @ 10V 100V 1.08Ω@ 10V TO-205-AF
供应商型号: 150-JANTXV2N6782-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) JANTXV2N6782

JANTXV2N6782概述

    # 电子元器件技术手册:N-Channel MOSFET

    产品简介


    基本介绍
    本文介绍的是Microsemi公司的N-Channel MOSFET(型号为2N6782),这是一款采用TO-205AF封装的高性能场效应晶体管。这款MOSFET主要用于电力电子转换、电源管理等领域,广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备及消费电子产品中。
    主要功能
    2N6782具备低导通电阻和高击穿电压,使得它在多种应用环境中具有出色的性能表现。它适用于开关电源、马达驱动、电池充电和直流-直流转换器等多种场合。
    应用领域
    - 电力电子转换
    - 电源管理
    - 工业控制
    - 汽车电子
    - 通信设备
    - 消费电子产品

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 测试条件 | 符号 | 最大值 | 单位 |

    | 栅极-源极电压 VGS | ±20 | Vdc |
    | 漏-源极电压 VDS | 100 | Vdc |
    | 漏极连续电流(室温) | TC = +25°C | ID1 | 3.5 | Adc |
    | 漏极连续电流(高温) | TC = +100°C | ID2 | 2.25 | Adc |
    | 最大功率耗散 Ptl | 15 | W |
    | 阻断电压 | VGS = 0V, ID = 1mAdc | V(BR)DSS | 100 | Vdc |
    | 导通电阻 | VGS = 10Vdc, ID = 3.5A | Rds(on) | 0.61 | Ω |
    电气特性
    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏-源极击穿电压 | VGS = 0V, ID = 1mAdc 100 | Vdc |
    | 门限电压(阈值) | VDS ≥ VGS, ID = 0.25mA | VGS(th) | 2.0 | 5.0 | Vdc |
    | 栅极漏电流 | VGS = ±20V, VDS = 0V | IGSS | ±100 | ±200 | nAdc |
    | 漏极电流 | VGS = 0V, VDS = 80V | IDSS | 25 | 0.25 | µAdc |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻:Rds(on)仅为0.61Ω,显著降低了损耗,提高了效率。
    - 宽工作温度范围:从-55°C到+150°C,适用于各种恶劣环境。
    - 快速开关性能:适用于高频应用,如开关电源和电池充电器。
    - 高可靠性:通过MIL-PRF-19500/556标准认证,保证了产品的高可靠性。
    优势
    - 高效率:低导通电阻和快速开关时间降低了损耗,提高系统整体效率。
    - 多功能性:广泛应用于各类电力电子和控制系统中。
    - 高可靠性:经过严格的测试和认证,确保在严苛环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:在高频开关电源中,2N6782可以实现高效的电能转换。
    - 电机驱动:在电机控制电路中,该MOSFET能够提供精确的控制和稳定的输出。
    - 电池充电器:用于快速充电应用,通过高效的电能转换减少热损耗。
    使用建议
    - 散热设计:由于最高功率耗散可达15W,应合理设计散热系统,确保器件在正常温度范围内运行。
    - 驱动电路:考虑使用专用的驱动芯片来降低栅极噪声,以进一步提高系统的可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 2N6782可与其他标准电路兼容,便于集成到现有的电路设计中。
    - 支持多种封装形式,包括TO-205AF和U-18 LCC。
    支持和服务
    - Microsemi公司提供了详细的技术文档和设计指南,帮助客户快速上手。
    - 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 栅极振荡
    - 解决方案:增加栅极电阻,减小寄生电感,确保栅极驱动信号稳定。
    2. 过热保护
    - 解决方案:增加散热片或风扇,增强散热效果,确保器件在安全温度范围内运行。
    3. 导通电阻不稳定
    - 解决方案:检查电路设计和布局,确保良好的电流路径和合理的走线设计。

    总结和推荐


    评估
    2N6782 N-Channel MOSFET是一款高性能的电力电子元器件,具备低导通电阻、高击穿电压和宽工作温度范围等优点。它适用于多种电力电子应用,如开关电源、电机驱动和电池充电器。
    推荐
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐2N6782 N-Channel MOSFET作为电力电子系统中的关键组件。如果您正在寻找高效、可靠的电力电子解决方案,这款MOSFET无疑是最佳选择之一。

JANTXV2N6782参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 81nC(Max) @ 10V
配置 -
最大功率耗散 15W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.08Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 -
通道数量 -
通用封装 TO-205-AF

JANTXV2N6782厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

JANTXV2N6782数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY JANTXV2N6782 JANTXV2N6782数据手册

JANTXV2N6782封装设计

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