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2N7008-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Microchip N沟道增强型MOSFET管 2N7008系列, Vds=60 V, 230 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2N7008-G
供应商: 国内现货
标准整包数: 25
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) 2N7008-G

2N7008-G概述

    2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 技术手册解析

    产品简介


    2N7008 是一款低阈值增强型(通常关闭)场效应晶体管,采用了垂直双扩散金属氧化物半导体(Vertical DMOS)结构及一种经过验证的硅栅制造工艺。这款晶体管结合了双极晶体管的功率处理能力和MOS器件高输入阻抗和正温度系数的特点。其主要功能是作为开关或放大器,广泛应用于电机控制、转换器、放大器、开关、电源电路和驱动器等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \(BVDSS\):60V
    - 漏栅电压 \(BVDGS\):同上
    - 栅源电压 \(V{GSS}\):±30V
    - 工作环境温度 \(TA\):-55°C 至 +150°C
    - 存储温度 \(TS\):-55°C 至 +150°C
    - 直流电气特性:
    - 漏源击穿电压 \(BVDSS\):60V @ \(V{GS}=0V, ID=-10\mu A\)
    - 栅阈电压 \(V{GS(th)}\):1V 至 2.5V @ \(V{GS}=V{DS}, ID=250\mu A\)
    - 零栅电压漏电流 \(I{DSS}\):1μA 至 500μA @ \(V{GS}=0V, V{DS}=50V\)
    - 开启状态漏电流 \(I{D(ON)}\):500mA @ \(V{GS}=10V, V{DS}\geq2V{DS(ON)}\)
    - 开启状态漏源电阻 \(R{DS(ON)}\):7.5Ω @ \(V{GS}=5V, ID=50mA\) 和 \(V{GS}=10V, ID=500mA\)
    - 交流电气特性:
    - 正向跨导 \(GFS\):80mmho @ \(V{DS}=10V, ID=200mA\)
    - 输入电容 \(C{ISS}\):50pF @ \(V{GS}=0V, V{DS}=25V, f=1MHz\)
    - 输出电容 \(C{OSS}\):25pF
    - 反转传输电容 \(C{RSS}\):5pF
    - 开关时间:
    - 开启延迟时间 \(t{ON}\):20ns
    - 关闭延迟时间 \(t{OFF}\):20ns
    - 二极管参数:
    - 二极管正向电压降 \(V{SD}\):1.5V @ \(V{GS}=0V, I{SD}=150mA\)

    产品特点和优势


    - 自由无二次击穿:2N7008 具有良好的热稳定性,没有热失控现象。
    - 低功率驱动需求:该器件需要非常低的驱动功率。
    - 并联容易:2N7008 可以方便地并联使用。
    - 低门极电容和快速开关速度:较低的输入电容使得开关速度更快。
    - 高输入阻抗和高增益:适合在高频下工作的应用场景。
    - 集成源漏二极管:内置的源漏二极管增强了应用的灵活性。

    应用案例和使用建议


    - 电机控制:适用于需要高速开关的电机控制系统。
    - 转换器:用于各种转换器中,如升压转换器和降压转换器。
    - 放大器:在信号放大系统中作为高效的放大器使用。
    - 开关电源电路:利用其高耐压特性和低导通电阻来提高效率。
    - 驱动器:可用于驱动继电器、锤子、螺线管、灯泡、存储器和显示器等。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,注意其电容参数,以避免因电容引起的延迟问题。
    - 在高温环境下使用时,需考虑其热稳定性和散热措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:2N7008 与大多数常见的驱动电路兼容,可以与微控制器、单片机等系统无缝集成。
    - 支持:Microchip 提供详尽的技术文档和支持,确保用户能够顺利部署和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:温度范围超出了工作范围。
    解决方案:确保使用环境温度在规定范围内(-55°C 至 +150°C)。
    - 问题2:开关延迟时间长。
    解决方案:优化电路设计,减少不必要的电容负载,或选择更适合的应用环境。
    - 问题3:输出功率不足。
    解决方案:检查电路是否满足 \(V{DS}\geq2V{DS(ON)}\) 和 \(ID=500mA\) 的条件。

    总结和推荐


    综上所述,2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 具有低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度等优点。适用于多种应用场景,尤其在电机控制、电源管理和高频信号处理中表现优异。推荐在需要高效、快速响应的电路中使用该器件。
    此技术手册为工程师提供了详尽的信息,有助于深入理解2N7008的功能和应用场景,便于在项目中正确选用和部署该器件。

2N7008-G参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
配置 独立式
Id-连续漏极电流 230mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 500mA,10V
最大功率耗散 1W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通道数量 1
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,袋装

2N7008-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

2N7008-G数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY 2N7008-G 2N7008-G数据手册

2N7008-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 4.0676
250+ ¥ 3.9457
1000+ ¥ 3.8998
5000+ ¥ 3.5094
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