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VP0104N3-G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Microchip P沟道MOS管, Vds=40 V, TO-92封装, 通孔安装
供应商型号: VP0104N3-G
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VP0104N3-G

VP0104N3-G概述


    产品简介


    产品名称:VP0104
    产品类型:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs(增强型垂直DMOS场效应晶体管)
    主要功能:
    VP0104 是一款P沟道增强型垂直DMOS场效应晶体管,具有高输入阻抗和正温度系数。这种结构具备二次击穿的免疫能力,能够提供快速的开关速度和良好的热稳定性。
    应用领域:
    - 电机控制
    - 转换器
    - 放大器
    - 开关
    - 电源电路
    - 驱动器(继电器、锤子、螺线管、灯、存储器、显示器、双极晶体管等)

    技术参数


    - 工作电压范围:
    - 漏极到源极的最大电压(BVDSS):-40V
    - 漏极到栅极的最大电压(BVDGS):±20V
    - 栅极到源极的最大电压:±20V
    - 工作温度范围:
    - 操作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 静态特性:
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):最大8.0Ω(VGS = -5.0V,ID = -100mA)
    - 最小静态漏极电流(ID(ON)):-500mA(VGS = -5.0V,VDS = -25V)
    - 动态特性:
    - 输入电容(CISS):45pF(VGS = 0V,VDS = -25V,f = 1.0MHz)
    - 输出电容(COSS):30pF(VGS = 0V,VDS = -25V,f = 1.0MHz)
    - 反向转移电容(CRSS):8.0pF(VGS = 0V,VDS = -25V,f = 1.0MHz)
    - 前向跨导(GFS):190mmho(VDS = -25V,ID = -500mA)
    - 热特性:
    - 最大连续功率耗散(TO-92封装):1.0W(@ TC = 25°C)
    - 热阻(θja):132°C/W(TO-92封装)

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 免受二次击穿的影响
    - 低功耗驱动需求
    - 易于并联操作
    - 极低的CISS和快速开关速度
    - 高输入阻抗和高增益
    - 内置源极-漏极二极管
    优势:
    - VP0104的垂直DMOS结构结合了双极晶体管的强大功率处理能力和MOS器件的高输入阻抗和正温度系数。这使得它非常适合需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    VP0104 在电机控制、转换器和放大器等领域的应用非常广泛。例如,在一个典型的电机控制系统中,它可以用于驱动电机的功率管理部分,确保电机在高负载下也能稳定运行。
    使用建议:
    - 在选择VP0104时,要确保工作电压不超过BVDSS。
    - 要注意温度的影响,特别是在高温环境下,可能会导致性能下降。
    - 对于高频率应用,需特别关注输入和输出电容对性能的影响。

    兼容性和支持


    兼容性:
    VP0104 具备广泛的兼容性,可与多种电子设备和系统配合使用,特别是那些需要高功率处理能力和良好热稳定性的系统。
    支持:
    Supertex公司为客户提供全面的技术支持和售后维护服务。客户可以通过其官方网站获得详细的使用指南和技术文档,同时可以联系技术支持团队解决相关问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确保设备在高温环境中稳定运行?
    - 解决方案:选择适当的散热设计,如增加散热片或使用散热风扇,并确保工作电压不超过BVDSS,以减少内部发热。
    问题2:在高频应用中,如何优化VP0104的性能?
    - 解决方案:降低输入和输出电容,通过选择合适的工作条件来优化电路设计,从而提高开关速度和减少损耗。

    总结和推荐


    综合评估:
    VP0104 是一款出色的P沟道增强型垂直DMOS场效应晶体管,具备免受二次击穿影响、低功耗驱动需求、快速开关速度和高热稳定性等优点。其广泛的适用性和优越的性能使其成为众多电子应用的理想选择。
    推荐使用:
    鉴于VP0104 的优良性能和广泛应用领域,我们强烈推荐将其用于各种高要求的电子应用中,如电机控制、转换器、放大器等。其卓越的性能和可靠性将显著提升整个系统的性能和稳定性。

VP0104N3-G参数

参数
最大功率耗散 1W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 8Ω@ 500mA,10V
配置 独立式
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 60pF@25V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
Id-连续漏极电流 250mA
通道数量 1
长*宽*高 5.21mm*4.19mm*5.33mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装,袋装

VP0104N3-G厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

VP0104N3-G数据手册

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MICROCHIP TECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) MICROCHIP TECHNOLOGY VP0104N3-G VP0104N3-G数据手册

VP0104N3-G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.8052
50+ ¥ 7.6474
100+ ¥ 6.0846
250+ ¥ 5.9616
500+ ¥ 5.8396
1000+ ¥ 5.7557
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起订量: 70 增量: 0
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