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CS4N70A2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: CS4N70A2 TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
LX MICRO/广东凌讯微 场效应管(MOSFET) CS4N70A2

CS4N70A2概述

    # CS4N70A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    CS4N70A 是一款高性能的N沟道增强模式功率MOSFET。它以其低导通电阻、快速开关能力和较低的栅极电荷等特点而著称。CS4N70A 主要应用于适配器和充电器的电源开关电路。
    主要功能
    - 低导通电阻(低 RDS(on))
    - 快速开关
    - 低栅极电荷
    - 单脉冲雪崩能量测试
    应用领域
    - 适配器和充电器的电源开关电路
    - 各种直流-直流转换器应用

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 备注 |

    | 漏源电压 | VDS | 700 | V
    | 栅源电压 | VGS | ±30 | V
    | 持续漏极电流 | ID | 4 | A
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 16 | A | 300 µs 脉冲宽度 |
    | 功耗 | PD | 75/30/75 | W | 220AB/220F/251/252 |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 200 | mJ
    | 结温 | TJ | 150 | °C
    | 存储温度范围 | TSTG | -55 to +150 | °C
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | - | 700 | 720 | V
    | 漏源泄漏电流 | IDSS- | - | 1 | - | µA
    | 栅泄漏电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 4 | V
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 2.5 | 2.8 | Ω | VGS = 10 V, ID = 2 A |
    | 传输电导率 | gfs | - | 3.5 | - | S | VDS = 15 V, ID = 2 A |
    | 输入电容 | Ciss | - | 667 | - | pF | VGS = 0 V, VDS = 2 V |
    | 输出电容 | Coss | - | 53 | - | pF
    | 反向转移电容 | Crss | - | 4 | - | pF
    | 开启延迟时间 | td(ON) | - | 14 | - | ns
    | 上升时间 | tr | - | 16 | - | ns
    | 关闭延迟时间 | td(OFF) | - | 32 | - | ns
    | 下降时间 | tf | - | 11 | - | ns
    | 总栅极电荷 | QG | - | 15 | - | nC
    | 栅源电荷 | QGS- | - | 3 | - | nC
    | 栅源电荷 | QGD | - | 7 | - | nC

    产品特点和优势


    特点
    - 低导通电阻(低 RDS(on)): 这使得在工作时能够减少损耗,提高效率。
    - 快速开关能力: 可以有效减少开关过程中的损耗。
    - 低栅极电荷: 减少了驱动所需的能量,提高了系统的整体效率。
    优势
    - 在电源开关电路中表现出色,特别是在高频应用中。
    - 高可靠性,通过单脉冲雪崩能量测试验证。
    - 环保设计,符合欧盟RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    CS4N70A 适用于多种电源管理电路,例如适配器和充电器。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于需要高速开关和低损耗的应用场景。
    使用建议
    - 在选择合适的驱动器时,应考虑栅极电荷的影响,以便确保驱动电路能提供足够的驱动能力。
    - 使用时应注意热管理,确保工作温度不超过器件的额定范围。

    兼容性和支持


    兼容性
    CS4N70A 支持多种封装类型(TO-220F, TO-220AB, TO-263, TO-252),可广泛应用于各种电路设计中。其与现有的电源管理和控制电路具有良好的兼容性。
    厂商支持
    LINGXUN公司为用户提供全面的技术支持,包括详细的安装指南、操作手册和产品保修服务。如有任何疑问,可以随时联系厂商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何选择正确的驱动器?
    解决方案:选择驱动器时,应该根据栅极电荷参数进行计算,确保驱动器能够提供足够的驱动电流。
    问题二:如何避免过高的工作温度?
    解决方案:在使用过程中注意散热,可以采用散热片或风扇等散热方式,确保器件在安全的工作温度范围内运行。

    总结和推荐


    综合评估
    CS4N70A是一款高性能的N沟道增强模式功率MOSFET,具有低导通电阻、快速开关能力和良好的热稳定性。这些特性使其成为电源管理和控制应用的理想选择。
    推荐使用
    对于需要高效、稳定和可靠工作的电源开关电路,强烈推荐使用CS4N70A。它不仅在性能上表现出色,在市场上的竞争力也非常强。

CS4N70A2参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 -
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F

CS4N70A2厂商介绍

LX MICRO公司是一家领先的微电子技术解决方案提供商,专注于为全球客户提供高性能的微电子产品和服务。公司主营产品包括集成电路(IC)、微控制器(MCU)、传感器、存储器等,广泛应用于工业自动化、消费电子、汽车电子、医疗设备、通信技术等多个领域。

LX MICRO的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,以保持技术领先优势。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
4. 快速响应:高效的供应链管理,确保快速响应客户需求,缩短交货周期。
5. 客户支持:专业的技术支持团队,为客户提供全方位的技术支持和售后服务。

CS4N70A2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
LX MICRO/广东凌讯微 场效应管(MOSFET) LX MICRO/广东凌讯微 CS4N70A2 CS4N70A2数据手册

CS4N70A2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 0.506
3000+ ¥ 0.4972
库存: 20000
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