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IXFH52N50P2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 960W(Tc) 30V 4.5V@4mA 113nC@ 10 V 1个N沟道 500V 120mΩ@ 26A,10V 6.8nF@25V TO-247AD 通孔安装
供应商型号: CSJ-ST49770281
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFH52N50P2

IXFH52N50P2概述

    IXFH52N50P2 和 IXFT52N50P2 电子元器件技术手册

    产品简介


    IXFH52N50P2 和 IXFT52N50P2 是 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET(场效应晶体管)。这两款器件均属于 Polar2TM HiperFETTM 系列,专为高频应用设计。它们具有快恢复二极管,适用于开关电源、直流转换器、激光驱动器、交流和直流电机驱动系统以及机器人和伺服控制系统等领域的电力转换和控制。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大漏源电压 (VDSS): 500V
    - 最大栅源电压 (VGSS): ±30V(连续),±40V(瞬时)
    - 最大漏极电流 (ID): 52A(常温下)
    - 最大雪崩能量 (EAS): 1.5J(常温下)
    - 最高工作温度 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 最高封装焊接温度 (TL): 300°C(TO-247封装)
    - 电气特性:
    - 开启电阻 (RDS(on)): ≤120mΩ
    - 输入电容 (Ciss): 6800pF
    - 输出电容 (Coss): 695pF
    - 反向转移电容 (Crss): 76pF
    - 开关时间 (td(on), td(off)): 22ns, 46ns
    - 传输增益 (gfs): 30S(典型值)
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 0.13°C/W
    - 结到散热器热阻 (RthCS): 0.21°C/W

    产品特点和优势


    - 高功率密度:能够承受高压和大电流,提供出色的功率处理能力。
    - 易于安装:标准封装,方便集成。
    - 空间节约:紧凑设计,适合空间受限的应用。
    - 低栅极电荷和低导通电阻:降低功耗,提高效率。
    - 快速内在二极管:提供快速的开关性能。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源和共振模式电源:IXFH52N50P2 和 IXFT52N50P2 由于其快速开关特性,在这些应用中表现优异。
    - 直流转换器:适用于各种类型的直流转换器,提供高效的能量转换。
    - 激光驱动器:低导通电阻和快速恢复二极管使其适用于激光驱动器。
    - 电机驱动:适用于交流和直流电机,提供可靠的驱动性能。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需注意散热问题,确保良好的热管理。
    - 选择合适的外部栅极电阻,以优化开关性能。
    - 避免过压和过流,以防损坏器件。

    兼容性和支持


    - 这些 MOSFET 支持标准 TO-247 和 TO-268 封装,易于与其他电子组件配合使用。
    - IXYS 公司提供详细的技术支持和售后服务,包括产品规格书、应用指南和故障排查资料。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何处理过热问题?
    - A: 使用适当的散热措施,如安装散热片或风扇,以保持器件温度在安全范围内。
    - Q:如何避免器件过载?
    - A: 使用适当的保护电路,如限流电阻或保险丝,以防止过载情况的发生。
    - Q:如何优化开关性能?
    - A: 选择合适的外部栅极电阻,并确保电路设计符合制造商的推荐参数。

    总结和推荐


    IXFH52N50P2 和 IXFT52N50P2 MOSFET 是一款高效能的产品,具有优秀的功率处理能力和快速开关性能。其高功率密度、易于安装和紧凑设计使其成为多种电力转换和控制应用的理想选择。如果您需要一个可靠且高效的 MOSFET 来实现您的项目,我们强烈推荐使用 IXFH52N50P2 和 IXFT52N50P2。同时,IXYS 提供详尽的支持文档和售后服务,进一步保障您的应用成功。

IXFH52N50P2参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.8nF@25V
栅极电荷 113nC@ 10 V
最大功率耗散 960W(Tc)
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 26A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 管装

IXFH52N50P2厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFH52N50P2数据手册

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LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFH52N50P2 IXFH52N50P2数据手册

IXFH52N50P2封装设计

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