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IXFP72N30X3M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 36W 20V 82nC@ 10V 300V 19mΩ@ 10V 5.4nF@ 25V TO-220
供应商型号: IXFP72N30X3M-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFP72N30X3M

IXFP72N30X3M概述

    # IXFP72N30X3M N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IXFP72N30X3M 是一款由 IXYS Corporation 设计的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品具备卓越的电气特性和封装可靠性,广泛应用于各种高压电源转换和驱动电路中。其主要特点包括低导通电阻(RDS(on))、高电流处理能力和出色的开关性能,使其成为现代电力电子系统中不可或缺的核心元件。
    主要功能
    - 高效的开关操作
    - 适用于开关模式和共振模式的电源设计
    - 支持广泛的电流和电压范围
    应用领域
    - 开关电源(Switch-Mode Power Supplies)
    - 直流到直流转换器(DC-DC Converters)
    - 功率因数校正电路(PFC Circuits)
    - 交流和直流电机驱动(AC and DC Motor Drives)
    - 机器人及伺服控制系统(Robotics and Servo Controls)

    技术参数


    以下为 IXFP72N30X3M 的核心技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源击穿电压 (BVDSS) | 300 V
    | 门限电压 (VGS(th)) | 2.5 V | 4.5 V
    | 漏极连续电流 (ID25) 72 A
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 15 mΩ | 19 mΩ
    | 电容 Ciss | 5400 pF
    | 电容 Coss 800 pF
    | 输入电阻 RGi | 1.7 Ω
    其他关键参数还包括门极电荷 (Qg)、反向恢复时间 (trr) 和输出电容相关特性。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 国际标准封装:塑料过模封接合式设计确保耐用性和一致性。
    2. 低 RDS(on) 和 QG:低导通电阻和栅极电荷降低了功耗并提高了效率。
    3. 雪崩额定值:能够承受高能量瞬变,提升系统的鲁棒性。
    优势
    - 高功率密度:适合紧凑型设计。
    - 易于安装:标准化接口简化装配过程。
    - 节省空间:紧凑设计满足现代化电子产品对小型化的追求。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 开关电源:利用其高效能实现更小体积和更高效率的电源模块。
    - 电机驱动:配合 PWM 控制器用于工业机器人和伺服系统的精密控制。
    使用建议
    1. 优化散热设计:由于其较高的电流能力,需要良好的热管理系统以避免过热。
    2. 合理布局 PCB:减少寄生电感和电容的影响,特别是在高频应用场合。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 电气隔离:提供电隔离功能,便于多层电路板设计。
    - 与标准 TO-220 封装兼容:易于替换现有产品。
    厂商支持
    IXYS 提供详尽的技术文档和在线支持服务,帮助用户快速上手并解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查连接点是否接触良好;增加栅极驱动电压 |
    | 过热现象 | 增加散热片或改进通风系统 |
    | 输出波形失真 | 减少负载电感;优化 PCB 走线 |

    总结和推荐


    综合评估
    IXFP72N30X3M 是一款面向高端电力电子应用的高性能 MOSFET,具有出色的导通性能、强大的耐压能力和灵活的应用场景。它特别适合需要高效能和紧凑设计的系统。
    推荐使用
    对于需要高效率和高可靠性的开关电源、电机驱动等领域,IXFP72N30X3M 是理想的选择。建议用户根据具体需求选择合适的型号,并结合优秀的散热策略来最大化发挥其潜力。
    此手册提供了全面的信息,可作为开发工程师的重要参考。如果您正在寻找一款集高性能与实用性的 MOSFET,IXFP72N30X3M 不失为一个优秀的选择。

IXFP72N30X3M参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 300V
栅极电荷 82nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.4nF@ 25V
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 36W
通道数量 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220
包装方式 管装

IXFP72N30X3M厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFP72N30X3M数据手册

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LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFP72N30X3M IXFP72N30X3M数据手册

IXFP72N30X3M封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ $ 5.5056 ¥ 46.0746
100+ $ 5.3889 ¥ 45.0981
500+ $ 5.2842 ¥ 44.2225
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