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IXFH26N50

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 300W 20V 4V 135nC@ 10V 500V 200mΩ@ 10V 4.2nF@ 25V 通孔安装
供应商型号: UA-IXFH26N50
供应商: 海外现货
标准整包数: 30
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFH26N50

IXFH26N50概述


    产品简介


    本文档介绍了IXYS公司的高压N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号包括IXFH21N50、IXFH24N50、IXFH26N50、IXFM21N50、IXFM24N50、IXFM26N50、IXFT24N50和IXFT26N50。这些器件主要用于功率转换和控制电路中,具有低导通电阻、快速开关特性和高抗浪涌电流能力等特点。应用领域包括直流-直流变换器、同步整流、电池充电器、开关电源、斩波器、交流电机控制、温度和照明控制、低电压继电器等。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS(漏源电压):500 V(栅极到源极电压为0 V时)
    - VDGR(栅源击穿电压):500 V(栅极到源极电压为±20 V时)
    - VGS(栅源电压):连续最大值±20 V;瞬态最大值±30 V
    - ID(连续漏极电流):21A(IXFH/IXFM21N50),24A(IXFH/IXFM/IXFT24N50),26A(IXFH/IXFT26N50)
    - IDM(脉冲漏极电流):84A(IXFH/IXFM21N50),96A(IXFH/IXFM/IXFT24N50),104A(IXFH/IXFT26N50)
    - Ptot(总功耗):300 W(TC = 25°C)
    - 典型值:
    - RDS(on)(导通电阻):21N50型号为0.25Ω,24N50型号为0.23Ω,26N50型号为0.20Ω(VGS = 10 V,ID = 0.5 ID25)
    - Qg(on)(栅极电荷):135~160 nC
    - Crss(反向传输电容):135 pF

    产品特点和优势


    这些MOSFET器件采用了先进的HDMOSTM工艺,具有低导通电阻、高速开关能力和高可靠性。它们的设计特点还包括坚固的多晶硅栅极单元结构、无钳位电感开关(UIS)特性、低封装电感和易于驱动和保护等。这些特性使得它们非常适合在高功率密度应用中使用,例如电池充电器、开关电源和电动机控制等。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET广泛应用于各种电力转换和控制电路中。例如,在DC-DC转换器中,它们可以提供高效的能量转换。在同步整流中,这些器件可以帮助提高效率并减少损耗。在电动机控制应用中,它们可以提供精确的控制和快速响应。
    在实际使用中,建议注意散热设计,以确保MOSFET在高功率操作下不会过热。另外,对于驱动信号的设计也非常重要,需要考虑栅极电荷等因素以保证良好的开关性能。

    兼容性和支持


    这些MOSFET符合国际标准封装,具体有TO-247 AD (IXFH) 和TO-204 AE (IXFM)。对于特殊应用,还可以选择带有SMD(表面贴装技术)封装选项的型号(如IXFH24N50S)。厂商提供了详尽的技术支持和文档,帮助用户进行设计和测试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的散热措施?
    - 解决方案:根据功率耗散计算所需散热器的大小和热阻,确保MOSFET的结温不超过最大允许值。

    - 问题:如何避免栅极电压过高导致损坏?
    - 解决方案:使用适当的栅极驱动电路来限制栅极电压,并使用齐纳二极管或其他保护电路来保护栅极。

    总结和推荐


    总的来说,IXYS公司的这些高压N沟道增强型MOSFET具有出色的性能和可靠性,非常适合在高功率应用中使用。无论是电池充电器、开关电源还是电动机控制,这些器件都能提供高效且可靠的操作。我们强烈推荐这些产品用于需要高性能和可靠性的应用场合。

IXFH26N50参数

参数
FET类型 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 300W
栅极电荷 135nC@ 10V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.2nF@ 25V
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Vds-漏源极击穿电压 500V
16.26mm(Max)
5.3mm(Max)
21.46mm(Max)
安装方式 通孔安装

IXFH26N50厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFH26N50数据手册

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LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFH26N50 IXFH26N50数据手册

IXFH26N50封装设计

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