处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFH80N65X2

IXFH80N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 890W 30V 5V 140nC@ 10V 650V 38mΩ@ 10V 80A 8.3nF@ 25V 通孔安装
供应商型号: UA-IXFH80N65X2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFH80N65X2

IXFH80N65X2概述

    X2-Class HiPerFETTM Power MOSFET IXTFH80N65X2 和 IXFK80N65X2 技术手册解析

    1. 产品简介


    IXTFH80N65X2 和 IXFK80N65X2 是来自 IXYS 公司的高性能 X2-Class 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这两种型号均采用 N-Channel 增强模式,具备快速固有二极管和雪崩等级的特点。它们被广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动器以及机器人和伺服控制系统中。这些产品提供国际标准封装,具备低导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(QG),能够满足高功率密度的应用需求。

    2. 技术参数


    以下是产品的主要技术规格和参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源击穿电压 (VDSS) | 650 V
    | 漏极电流 (ID, TC=25°C) 80 A
    | 导通电阻 (RDS(on), VGS=10V, TJ=25°C) 38 mΩ
    | 门限电压 (VGS(th), VDS=VGS, ID=4mA) | 3.5 V | 5.0 V
    | 栅源漏电流 (IGSS, VGS=±30V, VDS=0V) ±100 nA
    | 极间电压 (VDSGR, TJ=25°C to 150°C, RGS=1MΩ) 650 V
    | 持续栅源电压 (VGS(cont)) ±30 V
    | 瞬态栅源电压 (VGSM(trans)) ±40 V
    | 单脉冲耐量 (EAS, TC=25°C) 3 J
    | dv/dt (IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C) 50 V/ns
    | 脉冲耗散功率 (PD, TC=25°C) 890 W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):低至 38 mΩ(在 10V 门限电压下),能够降低能耗并提高效率。
    - 低栅极电荷 (QG):能够减少开关损耗,提高系统的整体性能。
    - 国际标准封装:便于集成到现有的设计中。
    - 快速固有二极管:具有出色的反向恢复特性,适用于高频应用。
    - 低封装电感:适合高速开关应用,减少电磁干扰(EMI)。
    - 高功率密度:占用较小的空间,适合紧凑的设计。
    - 易于安装:简化安装过程,提高生产效率。

    4. 应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 在多种应用中表现出色,尤其是在需要高效率和高功率密度的场合。例如,在电力电子变换器中,它们可以显著提升系统效率并减少发热。具体使用时应注意:
    - 散热管理:确保良好的热管理以防止过热。建议使用合适的散热器和冷却策略。
    - 驱动电路设计:选择合适的门极驱动器,以确保足够的驱动能力和降低开关损耗。
    - 过流保护:在关键应用中,配置适当的过流保护机制,以防止意外损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准 MOSFET 驱动器兼容,支持国际标准封装。
    - 支持:IXYS 提供全面的技术支持,包括详细的用户手册、应用指南和技术支持服务。同时,用户还可以通过官方网站获得最新的产品更新和安全声明。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 过热问题:增加散热器或改进散热设计。
    2. 门极电压不稳定:检查门极驱动电路,确保门极电压稳定。
    3. 输出特性异常:确认工作温度是否超出规定范围,重新校准或更换组件。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IXTFH80N65X2 和 IXFK80N65X2 是非常适合高功率密度应用的高性能 MOSFET。其低导通电阻、快速固有二极管和高可靠性使其成为许多电力电子应用的理想选择。推荐用于要求高效率和紧凑设计的场合。如果您正在寻找高性能的 MOSFET 解决方案,这两个型号值得考虑。

IXFH80N65X2参数

参数
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 80A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.3nF@ 25V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V
最大功率耗散 890W
栅极电荷 140nC@ 10V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
16.24mm(Max)
5.3mm(Max)
25.94mm(Max)
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IXFH80N65X2厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFH80N65X2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFH80N65X2 IXFH80N65X2数据手册

IXFH80N65X2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 11.6625 ¥ 97.7318
15+ $ 11.6375 ¥ 97.5223
44+ $ 11.4125 ¥ 95.6368
114+ $ 11.1 ¥ 93.018
库存: 170
起订量: 11 增量: 30
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 97.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336