处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFK64N50P

IXFK64N50P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: LITTELFUSE
产品描述: 830W(Tc) 30V 5.5V@8mA 150nC@ 10 V 1个N沟道 500V 85mΩ@ 32A,10V 8.7nF@25V 通孔安装
供应商型号: SCE-IXFK64N50P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) IXFK64N50P

IXFK64N50P概述


    产品简介


    IXFK64N50P 和 IXFX64N50P 是 IXYS 公司生产的高性能 N-通道增强型功率 MOSFET(场效应晶体管),适用于各种高功率密度和高速开关应用。这两种型号的 MOSFET 在 -55°C 到 +150°C 的温度范围内均可稳定运行,具备低 RDS(ON) 和快速恢复二极管(Fast Intrinsic Diode)的特点,特别适合于电池充电器、直流-直流转换器、电源供应器、直流斩波器、交流和直流电机驱动、不间断电源系统等应用。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源击穿电压(VDSS):500V
    - 最大栅源击穿电压(VDGR):500V
    - 持续栅极电压(VGSS):±30V
    - 瞬态栅极电压(VGSM):±40V
    - 电流参数
    - 最大漏极连续电流(ID25):64A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):150A
    - 最大绝对漏极电流(IA):64A
    - 最大单次脉冲耗散能量(EAS):2.5J
    - 其他参数
    - 最大瞬态漏电流变化率(dV/dt):20V/ns
    - 最大结温(TJ):-55°C 到 +150°C
    - 最大存储温度(Tstg):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供了 TO-264 和 PLUS247 封装选项,便于安装。
    - 快速恢复二极管:减少了反向恢复时间(trr),加快了开关速度。
    - 低 RDS(ON) 和 QG:显著降低导通电阻和栅极电荷,提高能效。
    - 低封装电感:减少寄生电感,提高稳定性。
    - 易于安装:具有标准化的安装力和扭矩要求,确保安装一致性。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 常用于各种电源管理应用中,如电池充电器和直流-直流转换器。例如,在电池充电器应用中,它们可以提供高效且可靠的电源转换。对于需要高功率密度的应用,这些 MOSFET 可以通过优化电路布局和散热设计来进一步提升性能。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 支持主流的电源管理系统和设备。厂商提供了详细的技术支持文档和在线支持资源,帮助用户进行选型和安装调试。此外,制造商还提供样品请求、技术支持热线和在线论坛等多种服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何选择合适的栅极电阻(RG)?
    - A: 通常情况下,根据手册建议,可以将 RG 设为 2Ω 来限制栅极驱动电流。对于具体应用,可以通过调整 RG 的值来优化开关时间和功耗。
    - Q: 在高温环境下使用时需要注意什么?
    - A: 在高温环境下使用时,需要特别关注热管理。确保良好的散热措施,如使用散热片和风扇,以保持结温在安全范围内。
    - Q: 如何测量 MOSFET 的开关时间?
    - A: 可以通过示波器直接测量栅极-源极电压(VGS)和漏极-源极电压(VDS)的变化来确定开关时间。注意使用适当的触发条件以准确捕捉开关事件。

    总结和推荐


    综上所述,IXFK64N50P 和 IXFX64N50P 是高性能的 N-通道增强型 MOSFET,适用于各种高功率密度和高速开关应用。其低 RDS(ON) 和快速恢复二极管特性使其在电源管理和电机驱动等领域表现出色。考虑到其广泛的适用范围、优秀的性能和详尽的技术支持,强烈推荐在相关项目中选用此款 MOSFET。

IXFK64N50P参数

参数
最大功率耗散 830W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.7nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 32A,10V
通道数量 -
栅极电荷 150nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@8mA
19.96mm(Max)
5.13mm(Max)
26.16mm(Max)
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IXFK64N50P厂商介绍

Littelfuse是一家全球领先的电路保护和功率控制解决方案提供商,成立于1927年,总部位于美国伊利诺伊州芝加哥。公司致力于为汽车、工业、消费电子和通信市场提供创新的产品和服务。

Littelfuse的主营产品分为以下几类:
1. 电路保护:包括保险丝、气体放电管、瞬态电压抑制二极管等,用于保护电子设备免受过电流和过电压的损害。
2. 功率控制:包括固态继电器、功率模块等,用于控制和分配电力。
3. 传感器:包括光敏传感器、压力传感器等,用于检测环境参数并提供反馈信号。
4. 电子元件:包括电阻、电容、电感等,用于构建和优化电子电路。

Littelfuse的产品广泛应用于汽车、工业控制、消费电子、通信、医疗等领域。公司的优势在于:
1. 技术领先:Littelfuse拥有强大的研发能力,不断推出创新产品,满足市场需求。
2. 品质可靠:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:Littelfuse提供专业的技术支持和定制化解决方案,满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和销售网络,能够快速响应客户需求。

IXFK64N50P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
LITTELFUSE 场效应管(MOSFET) LITTELFUSE IXFK64N50P IXFK64N50P数据手册

IXFK64N50P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 205.5563
5+ ¥ 153.8069
25+ ¥ 133.7977
50+ ¥ 128.8504
库存: 35
起订量: 2 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 205.55
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336