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BCZ120N21M1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 碳化硅MOS,1200V,21mΩ
供应商型号: BCZ120N21M1 TO247-4L
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
BESTIRPOWER/萃锦半导体 场效应管(MOSFET) BCZ120N21M1

BCZ120N21M1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3741PF
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Id-连续漏极电流 100A
最大功率耗散 469W
FET类型 1个N沟道
击穿电压 1.2KV
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ
Idss-饱和漏极电流 VDC=1200V,VGS=0@typ=1 max =100
Vgs-栅源极电压 1.2KV
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率 -
栅极电荷 198nC
长*宽*高 15.94mm*41mm*5mm
通用封装 TO-247-4
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级

BCZ120N21M1厂商介绍

Bestirpower公司是一家致力于研发和生产高性能电源解决方案的企业。公司主营产品包括:

1. 电源适配器:为各种电子设备提供稳定的电源供应,广泛应用于家用电器、办公设备等领域。
2. 开关电源:具有高效率、高功率密度的特点,适用于工业自动化、通信设备等高要求场合。
3. 电池充电器:为电池提供快速、安全的充电解决方案,服务于移动设备、电动汽车等行业。
4. LED驱动电源:专为LED照明设计,确保灯具的稳定运行和长寿命。

Bestirpower的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持产品技术领先。
- 质量控制:严格的质量管理体系,确保每一件产品都符合高标准。
- 定制服务:根据客户需求提供个性化定制服务,满足特定应用需求。
- 全球服务网络:拥有遍布全球的服务网点,为客户提供快速响应和技术支持。

Bestirpower致力于为客户提供高效、可靠的电源解决方案,以支持其业务的持续发展和技术创新。

BCZ120N21M1数据手册

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BESTIRPOWER/萃锦半导体 场效应管(MOSFET) BESTIRPOWER/萃锦半导体 BCZ120N21M1 BCZ120N21M1数据手册

BCZ120N21M1封装设计

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