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GC2M0280120D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 11A
供应商型号: GC2M0280120D TO247-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) GC2M0280120D

GC2M0280120D概述

    高效硅碳化物功率MOSFET GC2M0280120D技术手册

    产品简介


    GC2M0280120D 是由无锡国晶微半导体技术有限公司开发的一款高效能硅碳化物(SiC)功率MOSFET。这款N沟道增强型器件具有高阻断电压和低导通电阻的特点,适用于LED照明电源、高压直流转换器、工业电源和暖通空调系统等多个领域的电力管理。

    技术参数


    1. 高阻断电压与低导通电阻
    - VDSmax: 1200 V
    - RDS(on): 280 mΩ (VGS = 20 V, ID = 6 A)

    2. 高速开关与低电容
    - 最大漏极电流:11 A(VGS = 20 V, TC = 25 °C)
    - 最大脉冲漏极电流:20 A
    - 功耗:69.4 W(TC=25 °C, TJ = 150 °C)

    3. 工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 售焊温度:260°C,持续10秒

    产品特点和优势


    1. 提高系统效率:由于高阻断电压和低导通电阻,使得系统能够更有效地运行。
    2. 减少冷却需求:较低的功耗意味着较少的热量产生,从而减少了冷却需求。
    3. 增加功率密度:由于器件体积小且散热好,因此可以增加系统中的功率密度。
    4. 提高系统开关频率:器件设计使得系统的开关频率得以提高,进一步提升了系统效率。

    应用案例和使用建议


    1. LED照明电源:适用于要求高效率和稳定性的LED照明电源。使用时注意保证适当的散热措施,以确保长期可靠运行。
    2. 高压直流转换器:在高压环境中表现出色,特别是在需要高转换效率的应用场合。使用时建议使用外部驱动电路,以获得最佳性能。
    3. 工业电源和暖通空调系统:这些应用对可靠性有较高要求,GC2M0280120D由于其高可靠性特点,特别适合这些领域。

    兼容性和支持


    该产品采用了标准的TO-247-3封装,易于与其他常见的电源模块和组件进行集成。制造商提供了详细的技术支持文档和售后服务,确保客户能够在使用过程中得到全面的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 过热保护:确保正确的散热设计,使用散热片或者风扇辅助散热。
    2. 栅极震荡:建议使用适当的栅极电阻来防止振荡。
    3. 反向恢复时间:在需要高频工作的应用中,可考虑使用外部肖特基二极管以减少反向恢复时间。

    总结和推荐


    GC2M0280120D 是一款高性能的硅碳化物功率MOSFET,具有高效率、低功耗和高可靠性等特点。其出色的电气性能使其成为许多应用领域的理想选择,特别是对于要求高效率和稳定性高的场合。强烈推荐使用此产品,尤其是在LED照明电源、高压直流转换器和工业电源等领域。

GC2M0280120D参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
通用封装 TO-247-3

GC2M0280120D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC2M0280120D数据手册

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SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) SUPSIC/国晶微半导体 GC2M0280120D GC2M0280120D数据手册

GC2M0280120D封装设计

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