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GC3M0021120D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 沟道类型: 1个N沟道\nVds-漏源击穿电压: 1200V\nId-漏极电流(25℃): 8
供应商型号: GC3M0021120D TO247-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) GC3M0021120D

GC3M0021120D概述


    产品简介


    产品类型
    C3M0021120D是一款硅基碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于N沟道增强型器件。
    主要功能
    - 高阻断电压:1200V
    - 低导通电阻:21mΩ
    - 高速开关:低电容特性
    - 快速内在二极管:低反向恢复时间
    应用领域
    C3M0021120D适用于多种高电压和高效能的应用,包括但不限于太阳能逆变器、电动汽车电机驱动、高压直流转换器、开关电源及负载开关。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | VDS | 1200 V | VGS = 0V |
    | VGS(max) | -8 | +19 V | 动态 |
    | VGS(op) | -4 | +15 V | 静态 |
    | ID(continuous) 81 A | VGS = 15V |
    | RDS(on) | 14.7 | 21 | 28.8 | mΩ | VGS = 15V |
    | Maximum Ratings
    | VDS(max) 1200 | V | VGS = 0V |
    | ID(max) 81 | 200 | A | 脉冲 |
    | PD(max) 469 W | TC=25℃, TJ=175℃ |
    | Tj | -40 175 | ℃ | 操作和存储温度 |

    产品特点和优势


    C3M0021120D SiC MOSFET具有以下几个关键特点和优势:
    - 降低开关损耗:通过其低导通电阻和低电容特性,降低了在电力系统中的开关损耗。
    - 提高系统效率:减少热耗散需求,从而增加系统的整体效率。
    - 减小冷却需求:更低的温升有助于减少冷却系统的负荷。
    - 提升功率密度:通过紧凑设计和高效的散热管理,增加了单位体积内的功率输出。
    - 增加系统开关频率:更快速的开关性能允许更高的操作频率,提高系统的灵活性和响应速度。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 太阳能逆变器:高效能的逆变器需要低损耗和高速度的器件,C3M0021120D正适合这种应用。
    - 电动汽车电机驱动:车辆动力系统要求高可靠性,快速的开关性能可以提供更流畅的驾驶体验。
    - 高压直流转换器:对于需要高压和高效率的转换器来说,C3M0021120D能够满足要求。
    使用建议
    - 设计注意事项:在设计系统时,要确保足够的散热措施以应对高功率密度带来的温升。
    - 电路优化:通过优化外部栅极电阻和电路布局,进一步减少开关损耗,提高系统效率。
    - 测试验证:在实际应用前,进行详细的测试和验证,确保系统稳定运行。

    兼容性和支持


    C3M0021120D采用TO-247-3封装,可与其他同类型号或不同类型的电子元器件轻松兼容。厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和应用该器件。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 确保有效的散热设计和管理 |
    | 开关损耗大 | 优化电路设计和参数选择 |
    | 电流过大 | 确认额定参数,避免过载 |

    总结和推荐


    C3M0021120D SiC MOSFET具备出色的性能指标和应用潜力,广泛适用于各种高电压和高效能场合。其低导通电阻和高速开关特性显著提升了系统效率,降低了温升和冷却需求。考虑到其卓越的性价比和全面的支持服务,强烈推荐用户在相关项目中选用这款器件。

GC3M0021120D参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 TO-247-3

GC3M0021120D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC3M0021120D数据手册

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SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) SUPSIC/国晶微半导体 GC3M0021120D GC3M0021120D数据手册

GC3M0021120D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 163.8
450+ ¥ 151.2
900+ ¥ 148.68
1800+ ¥ 144.9
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