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GC3M0060065K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 37A
供应商型号: GC3M0060065K TO247-4
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) GC3M0060065K

GC3M0060065K概述


    产品简介


    产品名称:GC3M0060065K Silicon Carbide Power MOSFET
    GC3M0060065K 是一款由无锡国晶微半导体技术有限公司(Wuxi Gwok Semiconductor Co.,Ltd)生产的硅碳化物(Silicon Carbide, SiC)功率 MOSFET。这款电子元器件属于增强型N沟道场效应晶体管,具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关性能及低电容等特性。这些特性使其成为电动车辆充电系统、服务器电源供应器、太阳能光伏逆变器、不间断电源(UPS)、直流/直流转换器等领域的理想选择。

    技术参数


    - 电压参数
    - 高阻断电压:VDS = 650V
    - 门源电压:VGS(瞬态事件<100ns时)-8/+19V

    - 电流参数
    - 连续漏极电流:VGS = 15V,Tc=25°C时为37A;Tc=100°C时为27A
    - 脉冲漏极电流:99A

    - 温度范围
    - 工作结温和存储温度:-40至+175°C

    - 电气特性
    - 门源电荷:13nC
    - 漏源电荷:17nC
    - 总门电荷:46nC
    - 功耗
    - 功率耗散:TC=25°C,TJ=175°C时为150W

    - 热特性
    - 结点到外壳热阻:RθJC = 0.99°C/W
    - 结点到环境热阻:RθJA = 40°C/W

    产品特点和优势


    特点:
    - 高击穿电压与低导通电阻:通过650V的高击穿电压结合60mΩ的低导通电阻,实现高效的功率传输。
    - 高速开关能力:具备极低的电容特性,保证了快速的开关速度。
    - 快速内部二极管:低反向恢复电荷(Qrr),确保高效能和可靠性。
    - 环保设计:符合无卤素、RoHS标准。
    优势:
    - 提升系统效率:由于高效率和低损耗,有助于提高整体系统效能。
    - 减少冷却需求:优异的热管理能力,减少散热系统的设计复杂度。
    - 增加功率密度:紧凑封装同时保持高性能,便于高密度集成。
    - 易于并联和驱动:简化电路设计,降低成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电动车辆充电系统中作为关键组件,提供可靠的高电压控制能力。
    - 在服务器电源供应器中用于实现更高效的能量转换,从而降低运营成本。
    - 在太阳能光伏逆变器中,能够实现更快的响应时间和更低的能量损失,提高系统的可靠性和效率。
    使用建议:
    - 设计注意事项:在设计时需考虑散热方案,特别是在高温环境下工作时要避免过热风险。
    - 应用最佳实践:合理配置外部门极电阻以优化开关性能,例如设置合适的RG值可以进一步减小开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET适用于多种标准接口和协议,包括但不限于通用栅极驱动器。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和在线支持服务,帮助用户更好地理解和应用产品特性。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关过程中出现异常高温?
    - A: 适当调整外部门极电阻(RG)值以改善开关性能;检查散热设计,确保良好的热管理。

    - Q: 开启电压不一致?
    - A: 确认所有连接正确无误,必要时重新校准或更换设备。

    总结和推荐


    GC3M0060065K Silicon Carbide Power MOSFET展现了卓越的性能与可靠性,特别适合于需要高电压、高效能的应用场景。其优异的电气特性、紧凑的设计以及简便的安装过程,使其在市场上极具竞争力。综上所述,强烈推荐使用该产品,尤其是对提升系统效率有严格要求的设计工程师们。
    希望这篇内容对你有所帮助!如需进一步的信息或者有其他具体问题,欢迎随时咨询。

GC3M0060065K参数

参数
击穿电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-247-4

GC3M0060065K厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC3M0060065K数据手册

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GC3M0060065K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 31.122
450+ ¥ 28.728
900+ ¥ 28.2492
1800+ ¥ 27.531
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