处理中...

首页  >  产品百科  >  GC3M0075120D

GC3M0075120D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 32A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435045 详细: 数据手册 领券 16-15
供应商型号: GC3M0075120D TO247-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) GC3M0075120D

GC3M0075120D概述

    高质量文章:GC3M0075120D Silicon Carbide Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    GC3M0075120D 是由无锡国晶微半导体技术有限公司生产的一款硅碳化物(SiC)功率 MOSFET。作为一款 N 沟道增强型器件,它具有高击穿电压、低导通电阻和高速开关性能的特点。这些特性使得该器件广泛应用于可再生能源系统、电动汽车电池充电器、高压直流转换器及开关模式电源供应等领域。

    技术参数


    1. 最大参数:
    - 击穿电压(VDSmax):1200 V
    - 最大连续漏电流(ID):32 A(在 25℃时)
    - 最大脉冲漏电流(ID(pulse)):80 A(脉冲宽度受限于 TJmax)
    - 最大功率耗散(PD):136 W(在 25℃时)
    2. 电气特性:
    - 导通电压(VDS):1200 V
    - 最小漏电流(IDSS):1 μA(VDS = 1200 V, VGS = 0 V)
    - 门极漏电流(IGSS):10 nA(VGS = 15 V, VDS = 0 V)
    - 门极阈值电压(VGS(th)):1.8 V 至 3.6 V(VDS = VGS, ID = 5 mA)
    - 导通电阻(RDS(on)):75 mΩ(VGS = 15 V, ID = 20 A)
    3. 电气性能:
    - 门极电荷(Qg):54 nC
    - 门至源电荷(Qgs):17 nC
    - 门至漏电荷(Qgd):20 nC
    - 反向恢复电荷(Qrr):279 nC
    - 逆向恢复时间(trr):48 ns
    4. 热特性:
    - 结至壳热阻(RθJC):0.97°C/W
    - 结至环境热阻(RθJA):40°C/W

    产品特点和优势


    GC3M0075120D MOSFET 的主要特点是高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性。这使得它在提高系统效率、减少冷却需求和增加功率密度方面表现出色。其快速的反向恢复特性也使其在高频率应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 在可再生能源系统中,GC3M0075120D MOSFET 可用于光伏逆变器和风力发电机系统的电力转换。
    - 在电动汽车充电站中,该器件可用于电池充电器以提高充电效率和可靠性。

    - 使用建议:
    - 为了充分利用其低导通电阻特性,在选择外部栅极电阻(RG(ext))时应考虑合适的阻值,以减少开关损耗。
    - 由于其较高的工作温度范围(-40°C 到 +175°C),适用于高温和严苛环境的应用场合。
    - 建议使用散热片来降低工作温度,提高器件寿命和稳定性。

    兼容性和支持


    GC3M0075120D 支持 TO-247-3 封装,符合 RoHS 标准,无卤素。制造商提供了详尽的技术支持,包括应用指南、设计软件工具和客户服务,确保用户能够高效地集成和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:器件在高温下工作不稳定?
    - 解决方案:确保使用合适的散热措施,如散热片,以降低工作温度。

    - 问题 2:如何优化开关性能?
    - 解决方案:调整外部栅极电阻(RG(ext))的值,以达到最佳的开关时间和能量损耗平衡。

    总结和推荐


    GC3M0075120D 硅碳化物功率 MOSFET 是一款性能卓越的产品,特别适合应用于需要高可靠性和高性能的领域。其出色的电气特性和广泛的温度适应性使其成为多种应用场景的理想选择。综合以上所述,强烈推荐在涉及高效率、高功率密度和高速度开关的系统中采用该器件。

GC3M0075120D参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-247-3

GC3M0075120D厂商介绍

SUPSiC公司是一家专注于研发和生产碳化硅(SiC)功率器件的高科技企业。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管(SBD)、碳化硅MOSFET、碳化硅JFET等,广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、工业控制等领域。

SUPSiC的优势主要体现在以下几个方面:

1. 高性能:SUPSiC的碳化硅器件具有高耐压、低导通电阻、快速开关特性,能够满足高压、高频、高效率的应用需求。

2. 高可靠性:SUPSiC采用先进的封装技术和严格的质量控制,确保器件在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。

3. 低能耗:SUPSiC的碳化硅器件具有较低的导通损耗和开关损耗,有助于降低系统的能耗和发热,提高能效。

4. 定制化服务:SUPSiC提供定制化的设计和制造服务,满足客户在特定应用场景下的个性化需求。

5. 技术支持:SUPSiC拥有专业的技术团队,为客户提供全方位的技术支持和解决方案,帮助客户实现产品的快速开发和应用。

GC3M0075120D数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
SUPSIC/国晶微半导体 场效应管(MOSFET) SUPSIC/国晶微半导体 GC3M0075120D GC3M0075120D数据手册

GC3M0075120D封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 21.84
450+ ¥ 20.16
900+ ¥ 19.824
1800+ ¥ 19.32
库存: 10000
起订量: 10 增量: 450
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 218.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336