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NTD18N06LG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述: 50W 60V 27mΩ 30A
供应商型号: NTD18N06LG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯 场效应管(MOSFET) NTD18N06LG

NTD18N06LG概述

    # NTD18N06LG 电子元器件技术手册解析

    产品简介


    NTD18N06LG 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,其主要应用于需要高电流、低导通电阻和高速开关的应用场合。适用于电源转换、电机驱动、汽车电子等领域。

    技术参数


    以下是NTD18N06LG的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值(TC=25℃)
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 漏极连续电流 (ID): 30A (TC=100℃时为20A)
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 74A
    - 最大耗散功率 (PD): 50W
    - 功率耗散降额因子: 0.33W/℃
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 144mJ
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ,TSTG): -55℃ 至 175℃
    - 热阻 (Junction-to-Case): 3℃/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 60V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): 1μA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 1.0V 至 3.0V
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=10V, ID=20A 时 < 27mΩ
    - VGS=4.5V, ID=20A 时 < 33mΩ
    - 转导电导 (gFS): 30S
    - 输入电容 (Ciss): 1900PF
    - 输出电容 (Coss): 130PF
    - 反向传输电容 (Crss): 95PF
    - 开关特性:
    - 导通延时时间 (td(on)): 5ns
    - 导通上升时间 (tr): 2.6ns
    - 关断延时时间 (td(off)): 16.1ns
    - 关断下降时间 (tf): 2.3ns
    - 总栅电荷 (Qg): 30nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 4.5nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 7.5nC
    - 二极管特性:
    - 二极管正向电压 (VSD): 1.2V
    - 二极管正向电流 (IS): 30A
    - 反向恢复时间 (trr): 35ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr): 53nC

    产品特点和优势


    NTD18N06LG具有以下几个显著特点和优势:
    - 先进的沟槽技术:确保了低导通电阻和低栅电荷。
    - 绿色环保:采用无铅、绿色材料制造。
    - 严格测试:所有产品均经过100%UIS测试和ΔVds测试,保证可靠性。
    - 宽工作温度范围:-55℃至175℃的工作温度范围使其适用于各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换:用于AC-DC转换器中,提高效率并减少发热。
    - 电机驱动:适用于电动汽车和工业自动化中的电机控制。
    - 汽车电子:适用于引擎控制系统和电池管理系统。
    使用建议
    - 散热设计:由于高功率耗散,建议使用良好的散热设计以避免过热。
    - 电路布局:在PCB设计时,应尽量缩短栅极引线长度,以减小寄生电感。
    - 电源管理:考虑到瞬态响应,建议使用合适的滤波电容来稳定供电。

    兼容性和支持


    NTD18N06LG可以与其他标准封装和电气特性的MOSFET兼容。制造商提供详细的技术文档和支持服务,确保用户能够快速解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 产品在高温环境下出现过热现象。
    - 解决方案: 检查散热设计是否合理,增加散热片或使用更好的散热材料。
    2. 问题: 开关过程中发现延迟时间过长。
    - 解决方案: 优化电路布局,缩短栅极引线长度,降低寄生电感。
    3. 问题: 产品使用过程中出现性能下降。
    - 解决方案: 确保按照制造商的推荐使用条件操作,并定期检查电路连接和热管理。

    总结和推荐


    NTD18N06LG是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,具备优秀的电气特性和广泛的温度适应能力。其低导通电阻和高效的开关特性使其在多种应用中表现出色。推荐在需要高电流、低损耗的场合使用此产品。总体而言,NTD18N06LG是一款值得信赖的产品,适合广泛的应用需求。

NTD18N06LG参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 50W
配置 -
Id-连续漏极电流 30A
FET类型 -
应用等级 工业级

NTD18N06LG厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

NTD18N06LG数据手册

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BYCHIP/百域芯 场效应管(MOSFET) BYCHIP/百域芯 NTD18N06LG NTD18N06LG数据手册

NTD18N06LG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 1.278
500+ ¥ 1.1797
2000+ ¥ 1.0814
6000+ ¥ 0.9831
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