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IRFR014TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: IRFR014TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯 场效应管(MOSFET) IRFR014TRPBF

IRFR014TRPBF概述

    # N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET:IRFR014TRPBF

    产品简介


    IRFR014TRPBF 是一款适用于高效率功率转换和开关应用的N沟道增强型功率MOSFET。它具有低导通电阻(RDS(ON)),适合用于各种高频开关电源和电机驱动应用。此款MOSFET采用先进的沟槽技术,能够提供卓越的性能并降低功耗。
    主要功能
    - 漏源电压(VDS):60V
    - 源漏电流(ID):18A (TC=25°C),14A (TC=70°C)
    - 漏源导通电阻(RDS(ON)):73mΩ (VGS=10V), 85mΩ (VGS=4.5V)
    应用领域
    - 高频开关电源
    - 电机驱动系统
    - 通信设备电源管理
    - 汽车电子控制单元

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 (TC=25°C) | ID | 18 | A |
    | 脉冲漏极电流 (t=300 µs) | IDM | 25 | A |
    | 单次雪崩电流 | IAS | 15 | A |
    | 单次雪崩能量 | EAS | 11.25 | mJ |
    | 最大功率耗散 (TC=25°C) | PD | 41.7 | W |
    工作环境
    - 操作结温和存储温度范围:-55 至 150°C
    - 结到环境热阻(PCB安装):60°C/W
    - 结到外壳热阻(漏极):3°C/W
    额定规格
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | VDS | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 60 | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250 µA | 1.0 | 3.0 | V |
    | 漏极零栅压漏电流 | IDSS | VDS = 60 V, VGS = 0 V | 1 | VDS = 60 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C | 50 | µA |
    | 正向传输电容 | Ciss | VDS = 30 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | 660 | pF |
    | 输出电容 | Coss | 85 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 40 | pF |

    产品特点和优势


    IRFR014TRPBF的主要特点是其低导通电阻(RDS(ON)),这使得它在高频应用中具有极低的功耗和更高的效率。其高级沟槽技术进一步提高了整体性能,包括低栅电荷和出色的RDS(ON)。此外,它完全符合无铅和环保标准,可广泛应用于多种工业和消费电子产品。

    应用案例和使用建议


    IRFR014TRPBF 可以在多种高频开关电源和电机驱动系统中发挥作用。例如,在高频逆变器中,它可以显著提高效率并减少热损失。在设计此类应用时,需要注意散热问题,尤其是在高负载条件下。建议使用高效散热片和适当的PCB布局来确保良好的散热效果。此外,选择合适的栅极驱动器也非常重要,因为不当的驱动可能会影响MOSFET的性能和寿命。

    兼容性和支持


    IRFR014TRPBF 与其他常见的MOSFET产品具有良好的兼容性,可以轻松替换现有的解决方案。制造商提供了详尽的技术支持,包括详细的用户手册和在线支持,确保用户能够正确使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET过热
    - 解决方案:检查电路设计,确保良好的散热措施。增加散热片,改善PCB布局,以提高热传导效率。

    2. 问题:驱动信号不稳定
    - 解决方案:使用合适的栅极驱动器,并确保信号线的质量和长度。避免长电缆和高电感信号路径。

    3. 问题:开关频率不稳定
    - 解决方案:检查电路设计,确保合适的RC滤波器和稳压器。使用高品质的陶瓷电容器和电感器。

    总结和推荐


    综上所述,IRFR014TRPBF 是一款性能优异的N沟道增强型功率MOSFET,适用于各种高频开关电源和电机驱动应用。其低导通电阻、优秀的热管理和高可靠性使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐该产品用于需要高效率和可靠性的场合。

IRFR014TRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

IRFR014TRPBF厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

IRFR014TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
BYCHIP/百域芯 场效应管(MOSFET) BYCHIP/百域芯 IRFR014TRPBF IRFR014TRPBF数据手册

IRFR014TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 1.0224
500+ ¥ 0.9438
2000+ ¥ 0.8651
6000+ ¥ 0.7865
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