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NP55N055SDG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: BYCHIP/百域芯
产品描述:
供应商型号: NP55N055SDG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
BYCHIP/百域芯 场效应管(MOSFET) NP55N055SDG

NP55N055SDG概述

    # 产品技术手册:N-channel Enhancement Mode Power MOSFET(N型增强模式功率MOSFET)

    产品简介


    N-channel Enhancement Mode Power MOSFET是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管,适用于多种电子应用,如电源管理、电机驱动、LED照明及通信设备等。这款产品采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷的优点,能够有效提升系统的效率和可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 60 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | ±20 | ±20 | V |
    | 漏电流(连续) | ID | - | - | 50 | A |
    | 漏电流(连续,100℃) | ID (100℃) | - | - | 35.4 | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | - | 200 | A |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 85 | W |
    | 瞬态雪崩能量 | EAS | - | - | 200 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 | - | 175 | ℃ |
    | 结到外壳热阻 | RθJC | - | - | 1.8 | ℃/W |
    导通特性
    - 漏源导通电阻(VGS=10V, ID=20A):12 mΩ
    - 漏源导通电阻(VGS=4.5V, ID=20A):16 mΩ
    动态特性
    - 输入电容(VDS=30V, VGS=0V, F=1.0MHz):1630 pF
    - 输出电容:113 pF
    - 反向转移电容:97 pF
    开关特性
    - 开启延迟时间(VDD=30V, RL=6.7Ω, VGS=5V, RG=3Ω):15 ns
    - 关闭延迟时间(VDD=30V, RL=6.7Ω, VGS=5V, RG=3Ω):120 ns

    产品特点和优势


    N-channel Enhancement Mode Power MOSFET具备多项显著优势,使其成为高性能应用的理想选择:
    - 低导通电阻(RDS(ON)):典型值为12 mΩ(VGS=10V),确保在高电流下具有出色的能效。
    - 高级沟槽技术:提供卓越的RDS(ON)和低栅极电荷,进一步提升系统效率。
    - 无铅绿色材料:环保且符合现代生产标准。
    - 100% UIS测试:确保每颗器件都通过了耐用性测试,提升产品可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    此MOSFET广泛应用于各种电力管理和控制场景,如:
    - 电源适配器:在转换效率和散热要求较高的应用中表现出色。
    - LED驱动电路:提供稳定的电流调节和高开关频率。
    - 电机控制器:适合快速响应需求的场合,确保精准控制。
    使用建议
    - 合理设计散热:确保良好的热管理以维持长期稳定运行。
    - 适当选择驱动信号:利用高级沟槽技术减少驱动信号对系统效率的影响。
    - 考虑负载条件:根据具体应用的负载特性选择合适的驱动电压和电流等级。

    兼容性和支持


    兼容性
    本产品设计与现有的电路板兼容,尤其适合表面安装工艺。使用FR4板材时,可承受瞬态热应力不超过10秒。
    厂商支持
    由ByChip公司提供,保证产品质量并及时响应客户咨询与售后问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:导通电阻过高
    解决方案:检查栅极电压是否达到额定值,确保适当的驱动条件。
    问题2:过温报警
    解决方案:增加外部散热片或风扇来提高散热能力,必要时调整工作条件。
    问题3:开关速度慢
    解决方案:优化电路布局以减少寄生电容,同时确认驱动信号频率满足设计要求。

    总结和推荐


    综上所述,N-channel Enhancement Mode Power MOSFET凭借其低导通电阻、高效能及可靠的性能,在众多应用中表现出色。特别适用于需要高效率、高可靠性的电力电子设备中。因此,强烈推荐使用该产品以获得最佳性能和用户体验。

NP55N055SDG参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -

NP55N055SDG厂商介绍

BYCHIP公司是一家高科技企业,专注于研发和生产各类芯片产品。公司主营产品分为以下几类:

1. 微控制器(MCU):应用于智能家居、工业控制、医疗设备等领域,提供高性能、低功耗的解决方案。
2. 存储器(Memory):包括NAND Flash、NOR Flash等,广泛应用于移动设备、服务器、嵌入式系统等。
3. 传感器(Sensor):涵盖温度、湿度、压力等多种传感器,服务于物联网、汽车电子、消费电子等行业。
4. 通信芯片(Communication):包括Wi-Fi、蓝牙、NFC等无线通信模块,满足智能设备间的互联互通需求。

BYCHIP的优势在于:

1. 技术创新:拥有强大的研发团队,持续推出具有竞争力的新产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品可靠性和稳定性。
3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。
4. 市场布局:产品覆盖全球多个国家和地区,拥有广泛的市场影响力。

NP55N055SDG数据手册

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BYCHIP/百域芯 场效应管(MOSFET) BYCHIP/百域芯 NP55N055SDG NP55N055SDG数据手册

NP55N055SDG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 1.704
500+ ¥ 1.573
2000+ ¥ 1.4419
6000+ ¥ 1.3108
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