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NDS0605

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NDS0605 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NDS0605

NDS0605概述

    NDS0605 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDS0605 是一款由华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)生产的 P-沟道增强型 MOSFET。这款器件采用了先进的沟槽技术,以提供极低的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg)。NDS0605 主要应用于负载开关和 PWM 应用中,具有出色的性能和可靠性。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):-60V
    - 连续漏极电流 (ID):-2A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-8A
    - 最大功耗 (PD):1.5W
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, RθJA):83.3℃/W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55℃ 至 150℃
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 反向转移电容 (Crss):17.9pF @ VDS=-30V, VGS=0V, F=1.0MHz
    - 总栅极电荷 (Qg):11.3nC
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=-10V, ID=-1.5A:140mΩ 至 160mΩ
    - VGS=-4.5V, ID=-1.5A:160mΩ 至 200mΩ
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)):40ns
    - 开启上升时间 (tr):35ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):15ns
    - 关断下降时间 (tf):10ns
    - 二极管特性:
    - 反向恢复时间 (trr):25ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):31nC

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽技术:确保极低的导通电阻(RDS(ON)),使器件在高效率应用中表现优异。
    2. 低栅极电荷:降低驱动功率需求,提高开关速度。
    3. 宽工作温度范围:能够在极端环境中可靠运行。
    4. 低热阻设计:有助于提高散热效率,延长使用寿命。
    5. 出色的动态特性:快速的开关速度和较低的延迟时间。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关:适用于电源管理和直流电机控制。
    - PWM 应用:适合用于高效能的直流-直流转换器和马达控制系统。

    使用建议:
    1. 在选择外部栅极电阻时,应考虑器件的开关时间和驱动能力,以避免过高的栅极电荷损耗。
    2. 在高功率应用中,确保良好的散热设计,可以使用较大的散热片或散热器。
    3. 使用合适的电路板布局,确保栅极走线尽可能短,减少寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NDS0605 可以与其他标准 SOT-23 封装的 P 沟道 MOSFET 互换使用。
    - 技术支持:华轩阳电子提供了详尽的技术文档和应用指南,并通过专业的技术支持团队提供客户支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压过高导致器件损坏。
    解决方法:确保 VGS 不超过额定值 ±20V。
    2. 问题:散热不良导致器件过热。
    解决方法:增加散热措施,如加大散热片或使用更好的散热材料。
    3. 问题:驱动信号不稳定导致开关不畅。
    解决方法:优化驱动电路设计,确保稳定的驱动信号。

    总结和推荐


    综上所述,NDS0605 P-沟道增强型 MOSFET 是一款在负载开关和 PWM 应用中表现出色的器件。其独特的技术优势和可靠的性能使其在市场上具有很高的竞争力。建议在需要高效率和稳定性的应用中使用此产品,以获得最佳效果。
    推荐:对于寻求高性能和可靠性应用的工程师和技术人员,NDS0605 是一个非常值得推荐的产品。

NDS0605参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
FET类型 -

NDS0605厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NDS0605数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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NDS0605封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1562
9000+ ¥ 0.1536
15000+ ¥ 0.1497
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