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IRLML6401PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRLML6401PBF SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRLML6401PBF

IRLML6401PBF概述

    IRLML6401PbF P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRLML6401PbF 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD(简称 HXY)生产的 P 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽技术,提供了卓越的低导通电阻(RDS(ON)),并支持最低至 2.5V 的栅极电压操作。其主要功能包括电池保护和开关应用,适用于 PWM 应用、负载开关和电源管理。SOT-23 封装使其易于集成到各种电路设计中。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 (VDS) | -20 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±12 | V |
    | 持续漏电流 (ID) | -5 | A |
    | 脉冲漏电流 (IDM) | -14 | A |
    | 最大耗散功率 (PD) | 1.31 | W |
    | 工作结温范围 (TJ) | -55 至 150 | ℃ |
    | 结到环境热阻 (RθJA) | 120 | ℃/W |
    其他关键电气特性如下:
    - 导通电阻 (RDS(ON)):最大值 45 mΩ @ VGS=4.5V,典型值 35 mΩ @ VGS=4.5V
    - 驱动电压范围:最低 2.5V,最高 4.5V
    - 输入电容 (Ciss):最大值 1200 pF @ 1 MHz
    - 反向恢复时间 (trr):最大值 21.8 ns
    - 输出电容 (Coss):最大值 160 pF
    - 反向传输电容 (Crss):最大值 151 pF

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:最大 RDS(ON) 为 45 mΩ,典型值仅为 35 mΩ,确保高效率运行。
    - 低驱动电压:最低工作栅极电压为 2.5V,适合多种低压应用。
    - 高可靠性:采用先进的沟槽技术,提高可靠性和耐用性。
    - 紧凑封装:SOT-23 封装,适合空间受限的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电池保护电路:通过控制充电和放电过程,延长电池寿命。
    - 开关应用:适用于需要高效切换的场合,如负载开关和 PWM 控制。
    - 电源管理:在开关电源设计中提供高效的电力转换。
    使用建议:
    - 确保栅极电压不超过额定值,避免损坏。
    - 在设计 PCB 时,应根据制造商推荐的布局进行布线,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 针对高电流应用,可以考虑增加散热片以提高热管理效果。

    5. 兼容性和支持


    IRLML6401PbF 与大多数标准电路兼容,适用于各种电子产品设计。厂商提供详细的技术支持和维护信息,包括电路板设计指南和技术咨询。如有任何疑问,可以通过官方网站或联系当地代理商获得帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查栅极电压是否达到要求,调整 VGS 到合适水平 |
    | 开关速度慢 | 确认外部电容和寄生电感的影响,优化 PCB 设计 |
    | 电流超出额定值 | 增加散热措施,确保器件工作在安全温度范围内 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    IRLML6401PbF P 沟道增强型 MOSFET 具有低导通电阻、高可靠性、低驱动电压和紧凑封装等显著优势。该器件特别适用于电池保护和开关应用,其广泛的温度范围和支持能力使其在多种电子系统中表现出色。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用场景,强烈推荐使用 IRLML6401PbF 在需要高效率和可靠性的电路设计中。确保按照推荐的设计指南和使用建议来充分利用其潜力。

IRLML6401PBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通道数量 -

IRLML6401PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRLML6401PBF数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRLML6401PBF IRLML6401PBF数据手册

IRLML6401PBF封装设计

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