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VN2110

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: VN2110 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) VN2110

VN2110概述

    VN2110 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    VN2110 是一种 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能:
    这款 MOSFET 具有非常低的导通电阻(RDS(ON)),非常适合用于负载开关或 PWM(脉宽调制)应用。
    应用领域:
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 不间断电源(UPS)

    2. 技术参数


    - 最大耐压: VDS = 100V
    - 最大连续漏极电流: ID = 0.17A
    - 最大脉冲漏极电流: IDM = 0.68A
    - 最大功率耗散: PD = 0.35W
    - 热阻抗: RθJA = 350°C/W
    - 最大栅极电压: VGS = ±20V
    - 工作温度范围: TJ, TSTG = -55°C 至 150°C
    静态电气特性:
    - 击穿电压: V(BR)DSS = 100V (VGS=0, ID=250µA)
    - 栅极阈值电压: VGS(th) = 1.5V 至 2.5V (VDS=VGS, ID=250µA)
    - 零栅极电压漏极电流: IDSS = 1µA (VDS=100V, VGS=0V)
    - 漏源导通电阻: RDS(on) < 6Ω @ VGS=10V (ID=0.17A)
    - 二极管正向电压: VSD = 1.0V (IS=0.2A, VGS=0V)
    动态电气特性:
    - 输入电容: Ciss = 30pF (VDS=50V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容: Coss = 10pF
    - 反向传输电容: Crss = 7pF
    开关时间特性:
    - 开启延迟时间: td(on) = 1.7ns (VGS=10V, VDS=50V, ID=200mA, RGEN=6Ω)
    - 上升时间: tr = 9ns
    - 关闭延迟时间: td(off) = 17ns
    - 下降时间: tf = 7ns

    3. 产品特点和优势


    - 出色的导通电阻: VN2110 在 VGS=10V 时的 RDS(on) < 6Ω,适合低功耗应用。
    - 先进的沟槽技术: 这种技术提高了器件的性能和可靠性。
    - 宽广的工作温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度范围使其适用于各种环境条件。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护: 由于其出色的击穿电压和低漏电流,VN2110 非常适合用于电池保护电路。
    - 负载开关: 低导通电阻使其成为理想的负载开关解决方案,尤其在需要高效切换的应用中。
    - 不间断电源(UPS): 在 UPS 系统中,VN2110 可以有效控制负载并减少能量损耗。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于最大功率耗散为 0.35W,需要良好的散热设计来确保长期稳定运行。
    - 电路布局: 建议采用制造商提供的建议焊盘布局以提高可靠性和热管理。
    - 环境温度: 在极端环境中使用时,应特别注意保证工作温度不超出规定范围。

    5. 兼容性和支持


    - 封装形式: SOT-23 封装,适合紧凑型设计。
    - 支持和服务: 请联系深圳华宣阳电子有限公司获取技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:工作温度超过规定的范围会怎样?
    - A: 过高的工作温度可能导致性能下降或损坏。请务必遵守规定的工作温度范围。
    - Q:漏源导通电阻变大怎么办?
    - A: 确保栅极电压达到指定的范围(如 VGS ≥ 10V)。如果问题依旧存在,可能需要检查是否存在外部干扰或电路设计问题。
    - Q:出现异常发热怎么办?
    - A: 检查散热设计是否合理,确保 PCB 设计符合规范。如有必要,增加散热片或其他散热措施。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    VN2110 N 沟道增强型 MOSFET 在低功耗和高效率方面表现出色,特别是在电池保护和负载开关应用中具有显著优势。其先进的沟槽技术和宽广的工作温度范围使得它在多种应用中都非常可靠。
    推荐使用:
    强烈推荐在电池保护、负载开关和不间断电源系统中使用 VN2110。由于其出色的性能和广泛的应用范围,它将成为许多设计的理想选择。

VN2110参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -

VN2110厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

VN2110数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 VN2110 VN2110数据手册

VN2110封装设计

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15000+ ¥ 0.4968
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