处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXM61N03F

ZXM61N03F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXM61N03F SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXM61N03F

ZXM61N03F概述

    ZXM61N03F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXM61N03F 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics CO., LTD)生产的N沟道增强型功率MOSFET。它主要用于电池保护、负载开关和其他开关应用。该MOSFET采用了先进的沟槽技术,能够在低至2.5V的门极电压下工作,并具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压:30V
    - 栅源电压:±20V
    - 连续漏电流:4A
    - 脉冲漏电流(注1):16.4A
    - 最大功耗:1W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻(结到环境)(注2):125°C/W
    - 电气特性(除非另有说明,否则在TJ=25°C下测试):
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):30V
    - 零栅电压漏电流(IDSS):1.0µA
    - 栅体漏电流(IGSS):±100nA
    - 栅阈电压(VGS(th)):1.0V 至 2.5V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=10V时:<38mΩ
    - VGS=4.5V时:45mΩ 至 65mΩ
    - 输入电容(Ciss):233pF
    - 输出电容(Coss):44pF
    - 反向转移电容(Crss):33pF
    - 总栅极电荷(Qg):3nC
    - 栅源电荷(Qgs):0.5nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):0.8nC
    - 导通延迟时间(td(on)):4ns
    - 开启上升时间(tr):2.1ns
    - 关断延迟时间(td(off)):15ns
    - 关断下降时间(tf):3.2ns
    - 最大连续漏源二极管正向电流(IS):4A
    - 最大脉冲漏源二极管正向电流(ISM):16A
    - 漏源二极管正向电压(VSD):1.2V

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(ON) < 38mΩ(在VGS=10V时),适合用于高效率的开关应用。
    2. 低栅极电荷:Qg为3nC,有助于减少驱动损耗。
    3. 先进的沟槽技术:提供卓越的性能,可在较低的门极电压下工作(最低2.5V)。
    4. 宽温度范围:工作结温和存储温度范围从-55°C到150°C,适用于极端环境条件。
    5. 高可靠性:采用高质量材料和先进工艺制造,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护:在电池管理系统中作为保护开关,防止过充或过放电。
    - 负载开关:在电源系统中作为负载开关,控制电路的开启和关闭。
    - 不间断电源(UPS):在UPS中作为关键的控制元件,确保电源供应的连续性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑MOSFET的工作温度范围和散热问题,确保其正常工作。
    - 在负载开关应用中,注意选择合适的驱动电路以保证MOSFET的快速开关。

    兼容性和支持


    - 封装类型:SOT-23
    - 订购信息:
    - 产品编号:ZXM61N03F
    - 包装数量:3000个/包
    - 制造商支持:华轩阳公司提供详细的技术文档和技术支持服务,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确选择驱动电压?
    - 解决方案:根据具体应用需求选择合适的VGS。通常VGS应在3V至10V之间。
    - 问题2:如何处理热管理问题?
    - 解决方案:使用散热片或散热器,确保MOSFET工作时的温度不超过安全范围。
    - 问题3:如何判断MOSFET是否损坏?
    - 解决方案:使用万用表测量其静态参数如RDS(ON),并与技术手册中的典型值进行比较。

    总结和推荐


    ZXM61N03F N-Channel Enhancement Mode MOSFET是一款性能优异、适应性强的产品。其低导通电阻、低栅极电荷和先进的沟槽技术使其成为许多应用的理想选择。尽管其应用领域广泛,但在设计电路时仍需注意散热问题,以确保其长期可靠运行。总体而言,强烈推荐在电池保护、负载开关和不间断电源等应用中使用此产品。

ZXM61N03F参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

ZXM61N03F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXM61N03F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXM61N03F ZXM61N03F数据手册

ZXM61N03F封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.2244
9000+ ¥ 0.2207
15000+ ¥ 0.2151
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 673.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336