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FDS4935BZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDS4935BZ SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDS4935BZ

FDS4935BZ概述

    FDS4935BZ P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDS4935BZ 是一款由华宣阳电子科技有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)制造的双P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款器件采用先进的沟槽工艺设计,旨在提供出色的导通电阻和低栅极电荷。FDS4935BZ 广泛应用于PWM电路和负载开关中,是一款高性能的功率控制器件。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): -30V
    - 最大栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏电流 \( ID \): -11A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): -40A
    - 最大耗散功率 \( PD \): 3.7W
    - 最大连续工作温度 \( TJ, T{STG} \): -55°C 到 150°C
    - 热阻 \( R{θJA} \): 33.8°C/W
    - 静态特性
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = -10V \),\( ID = -10A \) 时,最大值为 18mΩ
    - 在 \( V{GS} = -4.5V \),\( ID = -5A \) 时,最大值为 27mΩ
    - 输入/输出电容
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1330pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 183pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 156pF
    - 栅极电荷
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 22nC
    - 栅极-源极电荷 \( Q{gs} \): 1.0nC
    - 栅极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 1.8nC

    3. 产品特点和优势


    FDS4935BZ 的主要特点包括:
    - 采用先进的沟槽技术,具有优异的 \( R{DS(on)} \) 和低栅极电荷。
    - 宽工作温度范围:-55°C 到 150°C。
    - 适用于多种应用场景,包括PWM电路和负载开关。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - PWM控制电路:用于电源管理中的开关操作。
    - 负载开关:用于高压环境下的开关控制。
    - 使用建议:
    - 在选择和使用 FDS4935BZ 时,确保工作条件不超过其绝对最大额定值。
    - 设计电路时,考虑其热管理和散热问题,以避免过热损坏。
    - 使用合适的驱动电路来减少栅极电荷,提高系统效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 适用于标准SOP-8封装的电路板设计。
    - 可与其他P沟道MOSFET一起使用于多相电路设计中。
    - 支持和服务:
    - 华宣阳电子科技有限公司提供技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间工作导致过热。
    - 解决方案:设计有效的散热系统,如使用散热片或增加通风。
    - 问题:开关损耗过高。
    - 解决方案:优化驱动电路,减少栅极电荷,提高系统效率。

    7. 总结和推荐


    FDS4935BZ 是一款高性能的双P沟道增强型MOSFET,适合于PWM电路和负载开关的应用。其卓越的导通电阻和低栅极电荷使其成为电源管理系统的理想选择。虽然在极端应用中需谨慎使用,但在一般应用中表现优异,值得推荐。
    本文档基于华宣阳电子科技有限公司提供的技术手册编写,所有参数和特性可能因产品改进而有所变化。详细信息请参阅官方文档或联系供应商。

FDS4935BZ参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -

FDS4935BZ厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS4935BZ数据手册

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FDS4935BZ封装设计

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