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ZXMN10A07F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN10A07F SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN10A07F

ZXMN10A07F概述

    ZXMN10A07F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN10A07F 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽技术制造,旨在提供优异的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及适用于低至 4.5V 栅极电压的操作。这款 MOSFET 主要应用于电池保护、负载开关和不间断电源(UPS)等领域。

    技术参数


    以下是 ZXMN10A07F 的关键技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | 100 | - | - | V |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | - | 210 | 248 | mΩ |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 1.5 | 2.5 | V |
    | 漏源泄漏电流 | IDSS | - | - | 5 | uA |
    | 前向跨导 | gfs | - | 2.4 | - | S |
    | 栅极电荷 | Qg | - | 9.7 | 13.6 | nC |

    产品特点和优势


    ZXMN10A07F 的主要优势包括:
    - 优秀的导通电阻(RDS(ON)):在 10V 栅极电压下,典型值仅为 210mΩ,确保低功耗运行。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)仅为 9.7nC,降低驱动电路的复杂性和成本。
    - 适用范围广:能够在 4.5V 的低栅极电压下正常工作,适应多种应用场景。
    - 出色的热管理能力:最大功率耗散为 1W,在高温环境下也能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护:利用其低导通电阻特性,可以有效地减少电池损耗,提高电池寿命。
    - 负载开关:适合作为负载开关,用于控制电路中的电流流动,保证系统的安全和稳定性。
    - 不间断电源(UPS):适用于 UPS 系统中的功率转换,确保系统在停电时能平稳过渡。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需要考虑 MOSFET 的散热问题,特别是对于高电流应用。
    - 确保栅极驱动电路能够提供足够的栅极电压,以确保 MOSFET 能够可靠地开通和关断。
    - 使用适当的 PCB 布局,确保 MOSFET 的安装和散热效果最佳。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXMN10A07F 采用 SOT-23 封装,适合大多数标准的 PCB 安装要求,与其他同类封装的电子元器件兼容。
    - 支持和服务:华宣阳电子有限公司(HXYMOS)提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:MOSFET 过热导致损坏。
    解决方案:增加散热片或者改进 PCB 布局,确保 MOSFET 有足够的散热通道。

    - 问题 2:栅极驱动信号不足,无法正常开启 MOSFET。
    解决方案:检查驱动电路,确保提供足够的栅极电压(至少 4.5V),并选择合适的驱动电阻。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN10A07F N 沟道增强型 MOSFET 在电池保护、负载开关和不间断电源等领域表现出色。其低导通电阻、低栅极电荷和宽工作电压范围使得它成为高性能电子设备的理想选择。推荐在各类需要高效率、低功耗的应用中使用。
    如果您对 ZXMN10A07F 有任何疑问,欢迎随时联系我们的技术支持团队。

ZXMN10A07F参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -

ZXMN10A07F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN10A07F数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN10A07F ZXMN10A07F数据手册

ZXMN10A07F封装设计

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9000+ ¥ 0.5003
15000+ ¥ 0.4876
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