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NVD5863NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVD5863NL TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVD5863NL

NVD5863NL概述

    # NVD5863NL N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVD5863NL 是由华轩阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的N沟道增强型MOSFET,型号为N-Channel Enhancement Mode MOSFET。这款电子元器件适用于电池保护、负载开关及不间断电源等领域,提供高效的开关性能和卓越的可靠性。

    技术参数


    基本电气特性
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 持续漏电流 \( ID \): 80A (VGS @ 10V)
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(ON)} \):
    - VGS=10V 时:最大值为 8mΩ
    - VGS=4.5V 时:最大值为 15mΩ
    - 门阈电压 \( V{GS(th)} \): 1.0V 至 3.0V
    - 前向跨导 \( g{fs} \): 最大值为 71S
    - 门源泄漏电流 \( I{GSS} \): 最大值为 100nA
    其他电气特性
    - 门电荷 \( Qg \): 33nC 至 45nC
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2680pF 至 3300pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 260pF
    - 反转传输电容 \( C{rss} \): 180pF
    环境参数
    - 最大存储温度范围: -55°C 至 150°C
    - 最大工作结温范围: -55°C 至 150°C
    - 热阻 \( R{\theta JA} \): 62.5°C/W

    产品特点和优势


    1. 高效率: 使用先进的沟槽技术,提供极低的 \( R{DS(ON)} \),减少功率损耗。
    2. 高可靠性: 经过严格测试,保证在极端环境下依然可靠运行。
    3. 低门电荷: \( Qg \) 仅为 33nC 至 45nC,有助于提高开关速度。
    4. 广泛的工作电压范围: \( V{DS} \) 最高达 60V,适用于多种应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电池保护:在电池充电和放电过程中保护电路免受损坏。
    - 负载开关:用于控制不同负载的开关操作。
    - 不间断电源(UPS):确保电源的连续供应,防止因电源故障导致系统中断。
    使用建议
    - 在设计电池保护电路时,应考虑使用具有较高 \( V{GS(th)} \) 的MOSFET,以确保在较低电压下也能正常工作。
    - 在选择负载开关时,应根据具体应用需求选择合适的 \( R{DS(ON)} \) 值,以确保在高电流条件下保持较低的功耗。

    兼容性和支持


    NVD5863NL 可以与其他标准TO-252-2L封装的电子元器件兼容。厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定门源泄漏电流是否超标?
    2. 在高温环境下如何确保MOSFET的稳定工作?
    解决方案
    1. 对于门源泄漏电流超标的检测,可以使用万用表测量 \( I{GSS} \),若超过100nA,则需更换新的MOSFET。
    2. 在高温环境下,可以通过增加散热片或采用强制风冷来降低结温,确保MOSFET在安全范围内工作。

    总结和推荐



    总结


    NVD5863NL MOSFET以其高效率、高可靠性以及广泛的适用范围,使其成为电池保护、负载开关及不间断电源等领域的理想选择。其卓越的性能使其在同类产品中脱颖而出。
    推荐
    强烈推荐使用NVD5863NL MOSFET,无论是对电池保护还是其他开关应用,它都能提供卓越的表现和可靠的性能。如果您正在寻找一款高性能且经济实惠的MOSFET,NVD5863NL无疑是您的最佳选择。

NVD5863NL参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

NVD5863NL厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVD5863NL数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NVD5863NL NVD5863NL数据手册

NVD5863NL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.064
7500+ ¥ 2.0296
12500+ ¥ 1.978
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