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IRF7406PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF7406PBF SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRF7406PBF

IRF7406PBF概述

    # IRF7406PBF P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本描述
    IRF7406PBF 是一种高性能的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET),由深圳华轩阳电子有限公司生产。该器件采用先进的沟槽技术,具备极低的导通电阻(RDS(ON))和较低的栅极电荷,适用于电池保护、负载开关等应用。其广泛应用于不间断电源系统和其他开关应用中。
    主要功能
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 高效的P沟道增强型MOSFET
    应用领域
    - 不间断电源系统
    - 工业控制
    - 消费电子产品

    技术参数


    以下是该器件的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | - | -30 | - | V |
    | ID | - | -9 | - | A |
    | RDS(ON) | - | 18 | 20 | mΩ |
    | VGS(th) | -1 | - | -3 | V |
    | gfs | - | 16 | - | S |
    | IDSS | - | - | -30 | μA |
    | IGSS | - | - | +100 | nA |
    | Qg | - | 18 | 29 | nC |
    | Ciss | - | 1175 | 1690 | pF |
    | Coss | - | - | - | pF |
    | Crss | - | - | - | pF |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 先进的沟槽技术:有效降低了RDS(ON),实现了更高效的开关操作。
    2. 低栅极电荷:减少了开关过程中的能量损耗。
    3. 宽工作电压范围:适用于2.5V至10V的门极电压。
    市场竞争力
    - 优异的性能:结合了低导通电阻和低栅极电荷,显著提高了效率。
    - 广泛的适用性:适合多种电源管理和开关应用。
    - 高可靠性:在深圳华轩阳电子的严格测试下,确保了产品的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF7406PBF 广泛应用于不间断电源系统中,用于电池保护和负载开关。通过有效的电池保护,可以延长电池的使用寿命并提高系统的稳定性。此外,在某些工业控制设备中,它也扮演着重要的角色,例如在电动机驱动电路中。
    使用建议
    - 散热设计:由于该器件具有较高的热阻(50°C/W),需要在设计中考虑良好的散热措施,以防止过热。
    - 保护电路:在实际应用中,建议添加必要的保护电路(如瞬态电压抑制二极管)来防止电压瞬变对器件造成损害。
    - 匹配门极电阻:根据具体应用调整门极电阻(RG)的值,以达到最佳的开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRF7406PBF 的SOP-8封装形式使其易于与大多数PCB组装工具兼容,方便集成到各种电路板中。该器件可以与其它电子元器件和设备无缝集成,适用于各种电源管理系统和开关应用。
    支持和维护
    深圳华轩阳电子提供了全面的技术支持,包括详细的安装指南、故障排查手册和软件工具。同时,他们还提供定期的软件更新和技术咨询,以确保客户能够充分利用该器件的性能。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 导通电阻过高:检查是否超过了最大额定值,如VGS、ID等。
    2. 发热严重:检查散热措施是否足够,是否安装了适当的散热片或冷却风扇。
    3. 信号不稳定:检查连接线是否接触良好,是否存在电磁干扰。
    解决方案
    - 确保操作条件在额定范围内,避免超过最大额定值。
    - 增加散热措施,例如添加散热片或冷却风扇。
    - 检查电路连接,必要时使用屏蔽线缆以减少电磁干扰。

    总结和推荐


    综合评估
    IRF7406PBF 在电池保护和负载开关应用中表现卓越,具备优异的导通电阻和低栅极电荷,适合于多种工业和消费电子产品中。其广泛的适用性和高可靠性使其成为许多应用的理想选择。
    推荐结论
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐使用 IRF7406PBF 来实现高效、可靠的电池保护和负载开关功能。同时,建议在设计过程中考虑充分的散热措施,以确保其长期稳定运行。

IRF7406PBF参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -

IRF7406PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRF7406PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF7406PBF IRF7406PBF数据手册

IRF7406PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3456
9000+ ¥ 0.3398
15000+ ¥ 0.3312
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最小起订量为:3000
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