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IRFR9020TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRFR9020TRPBF TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFR9020TRPBF

IRFR9020TRPBF概述

    # 技术手册:P-Channel MOSFET IRFR9020TRPBF

    产品简介


    IRFR9020TRPBF 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., Ltd. 生产的高性能 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷等特点,适用于电池保护和各种开关应用。它广泛应用于无刷电机、负载开关和不间断电源等领域。

    技术参数


    以下是 IRFR9020TRPBF 的主要技术参数:
    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):-60V
    - 连续漏极电流 (ID):-10A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-26A
    - 反向传输电容 (Crss):34pF
    - 输入电容 (Ciss):715pF
    - 输出电容 (Coss):51pF
    - 热特性
    - 热阻 (RθJA):62°C/W
    - 热阻 (RθJC):4.0°C/W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 到 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 到 150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):-60V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):典型值 125mΩ,最大值 140mΩ(VGS=-10V)
    - 阈值电压 (VGS(th)):-1.0V 至 -2.5V
    - 总栅极电荷 (Qg):5.85nC
    - 上升时间 (Tr):17ns
    - 下降时间 (Tf):21ns

    产品特点和优势


    IRFR9020TRPBF 的显著特点和优势包括:
    - 低导通电阻:RDS(ON) 典型值为 125mΩ,适用于需要高效转换的应用。
    - 高可靠性:采用先进的沟槽技术,确保长期稳定可靠的工作。
    - 宽工作温度范围:-55°C 到 150°C,适合多种严苛环境。
    - 低栅极电荷:Qg 仅为 5.85nC,有利于提高系统的能效。
    - 卓越的散热性能:热阻值较低,有助于更好地散热,延长产品寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 无刷电机:IRFR9020TRPBF 可用于驱动无刷电机,提供高效的能量转换。
    - 负载开关:作为负载开关使用时,能够快速响应并有效控制电路的通断。
    - 不间断电源:在 UPS 系统中,能够稳定地调节输出电压,确保系统可靠运行。
    使用建议
    - 散热设计:考虑到较高的工作温度,建议进行有效的散热设计,如增加散热片或风扇。
    - 驱动电路设计:确保驱动电路能够提供足够的驱动电流,以减少驱动损耗。
    - 保护措施:在电路设计中加入过压、过流保护机制,避免因瞬态过电压导致的损坏。

    兼容性和支持


    IRFR9020TRPBF 具有良好的兼容性,可以方便地与其他电子元器件配合使用。厂商提供了详细的技术支持和售后服务,包括产品文档、技术咨询和技术培训等。此外,还提供了全面的测试报告和验证数据,帮助客户在不同应用场景中快速部署。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:如何选择合适的驱动电压?
    - 解决方案:建议使用 10V 左右的驱动电压,以获得最佳的 RDS(ON) 和性能。
    2. 问题:如何处理过高的工作温度?
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或散热风扇,确保结温保持在安全范围内。
    3. 问题:如何测量 Qg 和 Ciss?
    - 解决方案:使用专业的测试仪器,严格按照制造商提供的方法进行测量。

    总结和推荐


    IRFR9020TRPBF 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性、宽工作温度范围等优点,适用于多种电子应用。鉴于其出色的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐使用该产品。同时,厂商提供的全面技术支持和售后服务也使得该产品在市场中具有很强的竞争力。

IRFR9020TRPBF参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -

IRFR9020TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFR9020TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRFR9020TRPBF IRFR9020TRPBF数据手册

IRFR9020TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 1.275
7500+ ¥ 1.2538
12500+ ¥ 1.2219
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