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NVMFS5C466N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVMFS5C466N DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVMFS5C466N

NVMFS5C466N概述

    NVMFS5C466N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVMFS5C466N 是一款由华宣阳电子(Huaxuanyang Electronics)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于电池保护、负载开关等切换应用场合。其先进的沟槽技术提供了出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和较低的开启电压(低至 4.5V),使其在各种应用场景中表现出色。

    技术参数


    NVMFS5C466N 的关键技术和电气特性如下表所示:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 VDS | 40 | V |
    | 栅源电压 VGS | ±20 | V |
    | 持续漏电流 ID@TC=25℃ | 70 | A |
    | 持续漏电流 ID@TC=100℃ | 44 | A |
    | 脉冲漏电流 IDM | 280 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 76 | mJ |
    | 总耗散功率 PD@TC=25℃ | 72.3 | W |
    | 热阻抗 RθJA | 62 | ℃/W |
    | 热阻抗 RθJC | 1.73 | ℃/W |
    | 储存温度范围 TSTG | -55 到 150 | ℃ |
    | 工作结温范围 TJ | -55 到 150 | ℃ |

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽技术:提供出色的 RDS(ON),低至 8.5mΩ@VGS=10V。
    2. 宽工作温度范围:支持从 -55℃ 到 150℃ 的广泛工作环境。
    3. 高可靠性:最大脉冲漏电流可达 280A,单脉冲雪崩能量高达 76mJ。
    4. 低栅极电荷:适用于需要快速开关的应用场景。

    应用案例和使用建议


    NVMFS5C466N 可以用于多种应用场景,如电池保护和负载开关。在设计时,应确保散热良好,以避免因过热导致的性能下降。特别是在高温环境下使用时,需要注意电源管理,以防止因持续漏电流过高而造成的损坏。

    兼容性和支持


    NVMFS5C466N 采用 DFN5X6-8L 封装,尺寸为 5.9mm x 4.9mm。它具有广泛的兼容性,可应用于多种电路板设计中。华宣阳电子提供详尽的技术支持和售后服务,包括技术咨询和故障排除服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温环境下无法正常工作。
    解决方案:增加散热片或采用更好的散热方案,确保设备在安全温度范围内运行。

    2. 问题:漏电流过大。
    解决方案:检查电路连接和电源管理,确保电源供应稳定。

    总结和推荐


    NVMFS5C466N 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种电子应用,尤其是需要快速开关和高可靠性的情况。它拥有出色的技术规格和优良的电气特性,值得推荐使用。然而,在使用过程中应注意遵循手册中的各项指标要求,确保设备的可靠性和安全性。

NVMFS5C466N参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -

NVMFS5C466N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVMFS5C466N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NVMFS5C466N NVMFS5C466N数据手册

NVMFS5C466N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.968
15000+ ¥ 1.9352
25000+ ¥ 1.886
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