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NTD4860N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTD4860N TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTD4860N

NTD4860N概述

    # NTD4860N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTD4860N 是一款由深圳华宣阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。这款电子元器件具备低 RDS(ON)、低门极电荷以及适用于低至 4.5V 门极电压的特点。它适合应用于电池保护、开关电源以及其他需要高可靠性的电子设备中。主要特点包括出色的 RDS(ON) 值、低门极电荷和适配低门极电压的应用能力。

    技术参数


    以下是 NTD4860N 的主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (TC=25℃): 80A
    - 连续漏电流 (TC=100℃): 51A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 320A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 88mJ
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 42A
    - 功耗 (TC=25℃): 54W
    - 温度系数: 0.43 W/℃
    - 存储温度范围 (TSTG): -55 至 150℃
    - 工作结温范围 (TJ): -55 至 150℃
    - 热阻 (RθJA): 62℃/W
    - 热阻 (RθJC): 2.3℃/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 30V
    - 漏源泄漏电流 (IDSS): 1uA (TJ=25℃)
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=10V, ID=20A 时: 5mΩ 至 6.8mΩ
    - VGS=4.5V, ID=10A 时: 6.5mΩ 至 9mΩ
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): 1V 至 2.5V
    - 前向跨导 (gfs): 18S
    - 总栅极电荷 (Qg): 11.1nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 1.85nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 6.8nC

    产品特点和优势


    NTD4860N 具备以下显著特点和优势:
    - 低 RDS(ON):最小静态漏源导通电阻仅为 5mΩ,确保高效的电力转换和较低的功耗。
    - 低门极电荷:低栅极电荷 (Qg) 可减少驱动电路的功耗和热量产生。
    - 宽工作温度范围:-55 至 150℃ 的宽温度范围适应各种严苛环境。
    - 高可靠性:采用先进的沟槽技术,确保产品的稳定性和长寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTD4860N 主要应用于以下几个领域:
    - 电池保护:在电池管理系统中用于过流和短路保护。
    - 负载开关:适用于需要高开关频率和低导通电阻的应用。
    - 不间断电源:作为关键的电力转换元件,提高系统的可靠性和效率。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到 RθJA 为 62℃/W,需要良好的散热设计以确保器件在高功率运行时不会过热。
    2. 门极驱动:选择合适的门极电阻,通常为 2.5Ω,以确保快速且稳定的开关性能。
    3. 过载保护:在电路设计中加入适当的保护机制,防止因过载导致的器件损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTD4860N 采用 TO-252-2L 封装,与市面上多数 PCB 设计相兼容。
    - 技术支持:深圳华宣阳电子有限公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括应用指南、样品测试和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热。
    - 解决方法:改善散热设计,如增加散热片或使用散热膏。

    2. 问题:开关速度慢。
    - 解决方法:降低门极电阻,调整驱动电路参数以提高开关速度。

    3. 问题:门极电压不稳定。
    - 解决方法:检查门极驱动电路,确保门极电压稳定在合适的范围内。

    总结和推荐


    NTD4860N N 沟道增强型 MOSFET 在电池保护、负载开关及不间断电源等领域具有显著的优势和应用前景。其低 RDS(ON) 和低门极电荷特性使其成为高效率和高可靠性的优选产品。对于需要在高温环境下工作的应用,NTD4860N 也表现出色。因此,我们强烈推荐使用 NTD4860N 作为高性能、高可靠性的电子元器件选择。

NTD4860N参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -

NTD4860N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTD4860N数据手册

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NTD4860N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 0.4938
12500+ ¥ 0.4813
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