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DMN67D8L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: DMN67D8L SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) DMN67D8L

DMN67D8L概述

    # DMN67D8L N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    DMN67D8L 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(HXY)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该产品采用先进的沟槽工艺,提供卓越的 RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷,并能在最低 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护和其他开关应用,如负载开关和不间断电源系统。

    技术参数


    以下是 DMN67D8L 的关键技术和性能参数:
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (TJ =150℃): TA =25℃ 时 0.3 A,TA =100℃ 时 0.19 A
    - 脉冲漏极电流 (注1): 0.8 A
    - 最大功耗: 0.35 W
    - 工作结温和存储温度范围: -55℃ 至 150℃
    - 热阻 (结至环境): 350℃/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): VGS=0V,ID=250μA 时 60 V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS): VDS=60V,VGS=0V 时 - - 1 μA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): VGS=±10V,VDS=0V 时 - ±100 ±500 nA;VGS=±20V,VDS=0V 时 - ±4 ±10 uA
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): VDS=VGS,ID=250μA 时 0.7 V 至 1.9 V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): VGS=5V,ID=0.1A 时 - 1.3 Ω 至 3 Ω;VGS=10V,ID=0.1A 时 - 1 Ω 至 2 Ω
    - 正向转移电导 (gFS): VDS=10V,ID=0.2A 时 0.1 S
    - 输入电容 (CISS): VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz 时 - 21 PF 至 50 PF
    - 输出电容 (COSS): - 11 PF 至 25 PF
    - 反向传输电容 (CRSS): - 4.2 PF 至 5 PF
    - 开启延迟时间 (td(on)): VDD=30V,ID=0.2A,VGS=10V,RGEN=10Ω 时 - 10 nS
    - 开启上升时间 (tr): - 50 nS
    - 关断延迟时间 (td(off)): - 17 nS
    - 关断下降时间 (tf): - 10 nS
    - 栅极电荷 (Qg): VDS=10V,ID=0.3A,VGS=4.5V 时 - 1.7 nC 至 3 nC
    - 二极管正向电压 (VSD): VGS=0V,IS=0.2A 时 - - 1.2 V

    产品特点和优势


    特点
    - 低导通电阻:RDS(ON) < 2Ω(VGS=10V)
    - 高可靠性:人体模型静电放电防护等级 HBM≥2000V
    - 低栅极电荷:有助于提高开关效率和速度
    - 宽工作温度范围:-55℃ 至 150℃
    优势
    - 高性能:RDS(ON) 值低,保证了在开关应用中的低损耗
    - 易于集成:采用 SOT-23 封装,适合空间有限的应用场景
    - 广泛应用:适用于电池保护、负载开关、不间断电源等多种场合

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:通过低导通电阻确保电池的高效保护
    - 负载开关:在高功率应用中提供快速响应和可靠的电流控制
    - 不间断电源:提供稳定的电力供应,在停电情况下保持系统运行
    使用建议
    - 选择合适的驱动电路:为确保最佳性能,建议使用合适的栅极驱动电路,以减少栅极电荷的影响。
    - 散热设计:由于最高功耗仅为 0.35W,可以采用较小的散热片。但在高负载条件下,需要合理考虑散热设计,避免过热。
    - 避免超限操作:确保栅极电压和漏源电压不超过绝对最大额定值,防止器件损坏。

    兼容性和支持


    - 封装:DMN67D8L 采用标准 SOT-23 封装,容易与其他常见的电子元件兼容。
    - 支持:深圳华轩阳电子有限公司提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    - 问题一:漏极电流超过额定值导致过热。
    - 解决办法:增加散热措施,如安装散热片或优化电路设计。
    - 问题二:栅极电压波动导致导通不稳定。
    - 解决办法:使用更稳定的电源和低内阻的栅极驱动器,确保栅极电压稳定。
    - 问题三:器件过早失效。
    - 解决办法:检查电路设计是否符合产品规范,避免超出额定条件使用。

    总结和推荐


    综合评估
    DMN67D8L 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,具有出色的导通性能和可靠性。它的低导通电阻和宽工作温度范围使其成为多种应用的理想选择。通过合理的应用和设计,可以实现高效且稳定的性能表现。
    推荐
    鉴于其高性能、易用性和广泛的应用范围,我们强烈推荐 DMN67D8L 用于电池保护、负载开关和不间断电源等场合。同时,我们也建议在设计和应用过程中严格遵守制造商的指导,以确保安全和可靠的操作。

DMN67D8L参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
通道数量 -
最大功率耗散 -

DMN67D8L厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

DMN67D8L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 DMN67D8L DMN67D8L数据手册

DMN67D8L封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.0766
9000+ ¥ 0.0753
15000+ ¥ 0.0734
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
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