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NTD4858N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTD4858N TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTD4858N

NTD4858N概述

    # NTD4858N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    NTD4858N 是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它具有出色的低导通电阻 \( R{DS(ON)} \),较低的栅极电荷 \( Qg \),并且可以在最低 4.5V 的门极电压下正常工作。这种器件非常适合用于电池保护及开关电源应用中。
    主要功能
    - 高性能的 N 沟道增强型 MOSFET
    - 优秀的 \( R{DS(ON)} \) 性能
    - 支持低门极电压(4.5V)
    - 广泛应用于电池保护、负载开关及不间断电源等领域

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 评分 | 单位 |

    | \( V{DS} \) | 漏源电压 | 30 | V |
    | \( V{GS} \) | 栅源电压 | ±20 | V |
    | \( ID \) | 持续漏电流(\( TC = 25℃ \)) | 80 | A |
    | \( ID \) | 持续漏电流(\( TC = 100℃ \)) | 51 | A |
    | \( I{DM} \) | 脉冲漏电流 | 320 | A |
    | \( E{AS} \) | 单脉冲雪崩能量 | 88 | mJ |
    | \( I{AS} \) | 单脉冲雪崩电流 | 42 | A |
    | \( PD \) | 功率耗散(\( TC = 25℃ \)) | 54 | W |
    | \( PD \) | 温度超过 25℃ 时的降额 | 0.43 | W/℃ |
    | \( T{STG} \) | 存储温度范围 | -55 至 150 | ℃ |
    | \( TJ \) | 工作结温范围 | -55 至 150 | ℃ |
    | \( R{\theta JA} \) | 热阻结到环境 | 62 | ℃/W |
    | \( R{\theta JC} \) | 热阻结到外壳 | 2.3 | ℃/W |
    电气特性
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |

    | \( B{VDSS} \) | 漏源击穿电压 | \( V{GS}=0V \), \( ID=250\mu A \) | 30 | —— | —— | V |
    | \( \Delta B{VDSS}/\Delta TJ \) | \( B{VDSS} \) 温度系数 | 参考至 25℃,\( ID=1mA \) | —— | 0.04 | —— | V/℃ |
    | \( I{DSS} \) | 漏源漏电流 | \( V{DS}=30V \), \( V{GS}=0V \), \( TJ=25℃ \) | —— | —— | 1 | μA |
    | \( I{GSS} \) | 栅源漏电流 | \( V{GS}=\pm 20V \), \( V{DS}=0V \) | —— | —— | ±100 | nA |
    | \( R{DS(ON)} \) | 导通电阻 | \( V{GS}=10V \), \( ID=20A \) | —— | 5 | 6.8 | mΩ |
    | \( R{DS(ON)} \) | 导通电阻 | \( V{GS}=4.5V \), \( ID=10A \) | —— | 6.5 | 9 | mΩ |
    | \( V{GS(th)} \) | 门限电压 | \( V{GS}=V{DS} \), \( ID=250\mu A \) | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
    | \( \Delta V{GS(th)} \) | \( V{GS(th)} \) 温度系数 | —— | —— | -4 | —— | mV/℃ |
    | \( g{fs} \) | 前向跨导 | \( V{DS}=10V \), \( ID=10A \) | —— | 18 | —— | S |
    | \( Qg \) | 总栅极电荷 | \( V{DS}=15V \), \( V{GS}=4.5V \), \( ID=20A \) | —— | 11.1 | —— | nC |
    | \( Q{gs} \) | 栅源电荷 | —— | —— | 1.85 | —— | nC |
    | \( Q{gd} \) | 栅漏电荷 | —— | —— | 6.8 | —— | —— |

    产品特点和优势


    特点
    - 出色的低导通电阻 \( R{DS(ON)} \),最高 6.8mΩ
    - 支持最低 4.5V 的门极电压
    - 优异的热性能和高可靠性
    - 适用于电池保护、负载开关及不间断电源等多种应用
    优势
    - 在相同尺寸下,具有更高的功率密度和更低的功耗
    - 适应广泛的温度范围(-55°C 到 150°C)
    - 高耐压能力(\( V{DS}=30V \)),能够应对苛刻的工作环境
    - 适配多种开关电源应用,提升系统效率

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护
    - 适用于各种便携式设备和电池管理系统,确保电池的安全运行。
    2. 负载开关
    - 用于负载开关的应用中,例如电机控制和电源分配系统。
    3. 不间断电源 (UPS)
    - 在 UPS 系统中作为开关器件,提高系统的可靠性和效率。
    使用建议
    - 在设计应用时,需考虑器件的散热要求,合理布局以保证良好的热管理。
    - 对于高电流应用,应注意并联使用,以降低单个器件的电流应力。
    - 由于器件支持低门极电压(4.5V),在设计电路时可选用较低的驱动电压。

    兼容性和支持


    - NTD4858N 支持标准的 TO-252-2L 封装,方便集成和替换。
    - 深圳华轩阳电子有限公司提供详尽的技术文档和专业的技术支持服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 导通电阻过高
    - 解决方案:检查门极电压是否满足最低要求,确认散热条件良好。
    2. 漏电流异常
    - 解决方案:检查封装是否正确安装,确保无外部干扰导致漏电流增大。
    3. 热稳定性差
    - 解决方案:采用适当的散热措施,如增加散热片或使用强制风冷。

    总结和推荐


    综合评估
    NTD4858N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 以其卓越的性能和广泛的应用范围,在众多场合中表现出色。其出色的低导通电阻 \( R{DS(ON)} \) 和宽广的温度适用范围使其成为电池保护和开关电源的理想选择。
    推荐
    鉴于其高性能和可靠性,我们强烈推荐 NTD4858N 在电池保护、负载开关及不间断电源等应用中使用。如果您的应用需要高性能和高可靠性,这款 MOSFET 将是一个明智的选择。

NTD4858N参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -

NTD4858N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTD4858N数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTD4858N NTD4858N数据手册

NTD4858N封装设计

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