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IRLML5103PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRLML5103PBF SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRLML5103PBF

IRLML5103PBF概述

    # IRLML5103PBF P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRLML5103PBF 是由深圳市华轩阳电子有限公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷以及在 2.5V 的门极电压下即可正常工作的特点。IRLML5103PBF 广泛应用于电池保护、开关电源和脉冲宽度调制(PWM)应用中。

    技术参数


    主要技术规格
    - 漏源击穿电压 (VDS): -30V
    - 持续漏极电流 (ID): -4.1A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -13A
    - 最大功率耗散 (PD): 1.32W
    - 热阻(结到环境) (RθJA): 125℃/W
    - 工作温度范围: -55°C 至 150°C
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 在 VGS=10V 时 < 56mΩ
    - 门限电压 (VGS(th)): -1.2V
    - 门极电荷 (Qg): -4.5V 时为 463nC
    - 输入电容 (Ciss): 48pF
    - 输出电容 (Coss): 7.3pF
    - 反向传输电容 (Crss): 1.8pF

    产品特点和优势


    IRLML5103PBF 的核心优势在于其高功率和电流处理能力。它能够在低至 2.5V 的门极电压下工作,非常适合需要高效能开关控制的应用。此外,由于采用了先进的沟槽技术,其导通电阻非常低,从而显著降低了功耗。该器件还具备出色的热稳定性,能够在宽泛的工作温度范围内稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRLML5103PBF 适用于多种应用,如电池保护电路、开关电源、负载开关以及 PWM 控制系统。这些应用要求器件具有高可靠性和稳定性,而 IRLML5103PBF 正能满足这些需求。
    使用建议
    - 在设计电池保护电路时,确保电路设计能够承受器件的最大电流和电压。
    - 在脉冲宽度调制应用中,要注意选择合适的门极电阻以确保稳定的开关频率。
    - 为了提高系统的可靠性,在高温环境下工作时,考虑采取散热措施以降低器件的温度。

    兼容性和支持


    IRLML5103PBF 采用 SOT-23 封装,适合表面贴装工艺。这种封装形式使得该器件易于集成到各种 PCB 设计中。深圳市华轩阳电子有限公司提供技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障诊断和维修服务。如有任何技术问题,可以通过公司官网 www.hxymos.com 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定 IRLML5103PBF 的最大功率耗散?
    解决方案:参考数据手册中的最大功率耗散值,以及器件的热阻参数。通过计算(最大功率耗散 = 环境温度 + 热阻 × 功率耗散)来确定安全操作区域内的最大功率耗散。
    问题2:如何确保 IRLML5103PBF 的长期可靠性?
    解决方案:在设计电路时,确保工作条件不超出器件的绝对最大额定值。同时,采用适当的散热措施,避免器件过热。

    总结和推荐


    总体而言,IRLML5103PBF 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高功率处理能力和宽工作温度范围。其广泛的应用领域和优秀的技术指标使其成为电池保护和开关电源设计的理想选择。我们强烈推荐在相关项目中使用该器件,特别是在对器件性能和可靠性有较高要求的应用场景中。

IRLML5103PBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -

IRLML5103PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRLML5103PBF数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRLML5103PBF IRLML5103PBF数据手册

IRLML5103PBF封装设计

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9000+ ¥ 0.5841
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