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FDD8880

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDD8880 TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDD8880

FDD8880概述

    FDD8880 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDD8880 是一款由华宣阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET。这款 MOSFET 主要应用于电池保护、负载开关以及不间断电源系统。凭借先进的沟槽技术,FDD8880 在保证低栅极电荷的同时,能够在最低 4.5V 的门极电压下正常工作。

    技术参数


    - 基本电气特性
    - VDS(漏源击穿电压):30V
    - ID(连续漏极电流):@VGS=10V 时,最高可达 60A;@VGS=4.5V 时,最高可达 13.6A
    - RDS(ON)(静态漏源导通电阻):@VGS=10V 时,小于 9mΩ;@VGS=4.5V 时,小于 14mΩ
    - BVDSS(漏源击穿电压):30V
    - Ciss(输入电容):1317pF(@VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 功率特性
    - PD(总功耗):@TC=25℃ 时,最大值为 41W
    - EAS(单脉冲雪崩能量):57.8mJ
    - 温度范围
    - TJ(工作结温范围):-55℃ 至 175℃
    - TSTG(存储温度范围):-55℃ 至 175℃
    - 热阻
    - RθJA(结-环热阻):62℃/W
    - RθJC(结-壳热阻):3.6℃/W

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:FDD8880 仅需 4.5V 即可正常工作,显著降低了系统的整体功耗。
    2. 高电流处理能力:在 VGS=10V 时,能够承受高达 60A 的连续漏极电流。
    3. 出色的导通电阻:静态漏源导通电阻在 VGS=10V 时低于 9mΩ,使得在高电流应用中能够有效减少发热。
    4. 宽泛的工作温度范围:适用于极端环境条件,确保稳定可靠的运行。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护:FDD8880 可以在电池保护电路中作为开关使用,防止过充和过放,延长电池寿命。
    - 负载开关:在需要频繁开关的应用中,FDD8880 能够提供快速响应,减少开关损耗。
    - 不间断电源系统:确保电源系统在断电时仍能稳定运行,避免数据丢失或设备损坏。
    使用建议:
    - 为了提高系统的整体效率,可以在选择栅极驱动电阻时参考手册中的典型值,如 Rg=2.2Ω 至 3.5Ω。
    - 确保散热设计符合要求,尤其是在高温环境下长时间工作时,需注意热阻 RθJA 和 RθJC 的影响。

    兼容性和支持


    FDD8880 使用标准的 TO-252-2L 封装,易于安装和更换。对于具体的技术支持和售后维护问题,可以联系当地的华宣阳电子代表进行咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何测试 FDD8880 的输出特性?
    - 解决方案:参考手册中的图 1(输出特性曲线),按照指定的电压和电流条件进行测量。

    - 问题:如果在高频开关应用中发现 MOSFET 发热严重怎么办?
    - 解决方案:检查系统的散热设计,确保良好的热传导路径。适当增加散热片或者使用更大尺寸的 MOSFET 以降低热阻。

    总结和推荐


    FDD8880 N 沟道 MOSFET 以其卓越的性能和广泛的应用范围,在现代电力电子系统中具有重要的地位。它不仅适合用于电池保护、负载开关和不间断电源系统,还具备低栅极电荷和高电流处理能力的特点。总体而言,FDD8880 是一款值得推荐的高性能电子元器件,非常适合对稳定性有高要求的应用场景。

FDD8880参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -

FDD8880厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDD8880数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDD8880 FDD8880数据手册

FDD8880封装设计

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