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ZXMN6A25DN8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN6A25DN8TA SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN6A25DN8TA

ZXMN6A25DN8TA概述

    # ZXMN6A25DN8TA 双沟道增强型MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN6A25DN8TA 是一款由华宣阳电子有限公司(HXY)生产的双沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。此款产品专为电池保护和开关应用设计,具备卓越的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和能够以低至2.5V的门极电压运行的特点。适用于负载开关、不间断电源等应用场景。

    技术参数


    - VDS:60V(漏源电压)
    - ID:6.5A(最大持续电流)
    - RDS(ON):在VGS=10V时小于36mΩ;在VGS=4.5V时小于48mΩ(导通电阻)
    - VGS:+20V(门源电压)
    - 存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大热阻:360°C/W(结-壳热阻)
    - 输出电容Coss:155pF
    - 输入电容CISS:1920pF
    - 开关特性
    - 导通延迟时间td(on):8ns
    - 导通上升时间tr:5ns
    - 关断延迟时间td(off):29ns
    - 关断下降时间tf:6ns
    - 总栅极电荷Qg:50nC
    - 栅极-源极电荷Qgs:8nC
    - 栅极-漏极电荷Qgd:16nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:在10V VGS下RDS(ON)<36mΩ,确保了低功耗和高效能。
    2. 低栅极电荷:50nC的总栅极电荷降低了驱动电路的功耗。
    3. 宽温度范围:工作温度范围宽达-55°C到150°C,适合多种环境应用。
    4. 高可靠性:通过先进的沟槽工艺实现高可靠性和低故障率。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. 电池保护:可以有效监测和控制电池充电过程,防止过充、过放等问题。
    2. 负载开关:用于电力系统中的开关控制,提升系统的稳定性和效率。
    3. 不间断电源:提供可靠的电源切换,保证关键系统的连续运行。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时需注意散热,可通过增加散热片或采用风扇进行辅助散热。
    - 在选择驱动电路时,要确保驱动电压符合产品要求,以确保快速准确的开关动作。
    - 长期使用时,建议定期检测产品的温度和性能,以预防潜在的故障。

    兼容性和支持


    - 兼容性:ZXMN6A25DN8TA 支持多种常见的封装形式(如SOP-8),易于与其他标准器件兼容。
    - 支持服务:华宣阳电子有限公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、样品请求和技术文档支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的驱动电压?
    - 答:根据产品手册,ZXMN6A25DN8TA 最低驱动电压为2.5V。推荐使用4.5V至10V之间的驱动电压,以确保良好的开关性能。

    2. 问:如何处理过高的结温问题?
    - 答:可以通过增加散热片或外部风扇辅助散热来降低结温。如果温度仍然过高,建议调整电路设计,以减少功耗并提高散热效果。

    总结和推荐


    ZXMN6A25DN8TA 以其卓越的导通电阻、低栅极电荷和广泛的工作温度范围,成为电池保护和负载开关应用的理想选择。结合优秀的可靠性、易于集成的封装及良好的技术支持,我们强烈推荐这款产品给需要高性能、高可靠性的用户。

ZXMN6A25DN8TA参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -

ZXMN6A25DN8TA厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN6A25DN8TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN6A25DN8TA ZXMN6A25DN8TA数据手册

ZXMN6A25DN8TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.2948
9000+ ¥ 1.2732
15000+ ¥ 1.2409
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起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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