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NTR1P02

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTR1P02 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTR1P02

NTR1P02概述

    NTR1P02 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTR1P02 是一款由华宣阳电子(深圳)有限公司生产的P沟道增强型MOSFET,适用于负载开关及脉冲宽度调制(PWM)应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,具备低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和高可靠性等显著特性,使得其能够以最低1.8V的门电压进行操作。

    2. 技术参数


    NTR1P02的主要技术参数如下:
    - 漏源电压(VDS):-20V
    - 栅源电压(VGS):±12V
    - 连续漏电流(ID):-2.3A
    - 脉冲漏电流(IDM):-9A
    - 最大功率耗散(PD):0.65W
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻(RθJA):178°C/W
    - 门体漏电流(IGSS):±100nA
    - 门阈值电压(VGS(th)):-0.4V 至 -1.0V
    - 导通电阻(RDS(ON)):在 VGS=-4.5V 时为 <140mΩ,在 VGS=-2.5V 时为 <170mΩ
    - 前向转移电导(gFS):4S
    - 输入电容(Ciss):285pF
    - 输出电容(Coss):58pF
    - 反向传输电容(Crss):32pF
    - 开关特性:
    - 开启延时时间(td(on)):9.8ns
    - 开启上升时间(tr):4.9ns
    - 关闭延时时间(td(off)):20.5ns
    - 关闭下降时间(tf):7ns
    - 门电荷(Qg):2.9nC
    - 门-源电荷(Qgs):0.45nC
    - 门-漏电荷(Qgd):0.75nC

    3. 产品特点和优势


    NTR1P02 具备以下独特功能和优势:
    - 高耐压能力:-20V 的漏源电压使其能够在高压环境中稳定工作。
    - 低导通电阻:在 VGS=-4.5V 时的 RDS(ON) 小于 140mΩ,有助于减少功耗和提高效率。
    - 低栅极电荷:2.9nC 的门电荷使得驱动更简单,降低了驱动电路的设计复杂度。
    - 高可靠性:-55°C 至 150°C 的工作温度范围使它适用于各种极端环境。
    这些特性使得 NTR1P02 在PWM应用和负载开关中具有显著的优势,特别是在需要高效率和可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    NTR1P02 主要应用于负载开关和PWM应用中。例如,在电源管理系统的负载开关应用中,NTR1P02 可以用于控制电路中的电流和电压。为了确保最佳性能,建议在设计时考虑以下几点:
    - 确保电路中的栅极驱动器具有足够的电流能力,以满足 2.9nC 的门电荷要求。
    - 使用合适的散热设计,以防止因高温导致的性能下降。
    - 根据具体的应用需求选择合适的 PCB 布局和封装。

    5. 兼容性和支持


    NTR1P02 采用 SOT-23 封装,与常见的 PCB 尺寸兼容。华宣阳电子提供了详尽的技术支持和客户服务中心,用户可以通过访问公司官网获得更多的技术支持和服务信息。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题:在高频切换过程中,开关延迟时间过长。
    - 解决办法:检查并优化门电荷配置,以减少开关延迟时间。
    - 问题:在高电压条件下,导通电阻偏大。
    - 解决办法:确认工作条件在推荐范围内,适当调整栅源电压至 -4.5V 以降低 RDS(ON)。
    - 问题:温度过高影响性能。
    - 解决办法:增加散热措施,如添加散热片或使用散热硅脂。

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTR1P02 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET,特别适合需要高效率和高可靠性的应用。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性使其成为负载开关和 PWM 应用的理想选择。强烈推荐在设计高压、高频率应用时选用 NTR1P02。

NTR1P02参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -

NTR1P02厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTR1P02数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTR1P02 NTR1P02数据手册

NTR1P02封装设计

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