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ZVN4106F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZVN4106F SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZVN4106F

ZVN4106F概述

    ZVN4106F N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZVN4106F 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(HXY)生产的N沟道增强型MOSFET,采用先进的沟槽技术制造。这款器件适用于电池保护和开关应用。凭借其卓越的低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和低至4.5V的门限电压操作,它成为了高效电源管理和控制的理想选择。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = 60V
    - 连续漏电流:ID = 0.3A
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 最大功耗:PD = 0.35W
    - 结温范围:-55°C 至 150°C
    - 热阻抗:RθJA = 350°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在10V门限电压下,RDS(ON) < 2Ω。
    - 高静电放电耐受能力:人体模型下的静电放电(HBM)耐受电压高达2000V。
    - 低门极电荷:门极电荷Qg 最大值为3nC,有助于快速开关。
    - 宽温度范围:能够在极端环境中稳定工作,适用于各种恶劣环境下的应用。
    - 可靠设计:符合严格的绝对最大额定值标准,确保长时间稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:适用于便携式设备的电池管理系统,能够有效防止过流和短路。
    - 负载开关:在不间断电源系统中作为关键的开关元件,确保电源供应的稳定性。
    - 断电保护:在紧急情况下迅速切断电路,保护设备不受损坏。
    使用建议:在设计时,考虑使用合适的散热片以降低热阻抗,确保MOSFET长期稳定工作。此外,在进行批量生产前,务必进行全面测试和验证,以确保产品质量和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ZVN4106F 可与其他标准N沟道MOSFET引脚兼容,便于替代现有设计。
    - 支持:提供详尽的技术文档、应用指南和设计支持,可联系HXY官方获取更多技术支持和售后保障。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:温度过高导致MOSFET损坏。
    - 解决办法:增加散热措施,如使用散热片或改进散热设计。

    - 问题二:在高电流条件下工作不稳定。
    - 解决办法:确认电路设计符合MOSFET的额定电流要求,检查散热是否足够。

    7. 总结和推荐


    总结:ZVN4106F N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、高静电放电耐受能力和宽工作温度范围,展示了其在电池保护和开关应用中的优异性能。它适合于需要高可靠性和高性能的应用场景。
    推荐:鉴于其出色的特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐ZVN4106F作为电源管理和控制系统的理想选择。对于追求高效、稳定工作的工程师和设计师来说,它是一个值得信赖的选择。

ZVN4106F参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

ZVN4106F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZVN4106F数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZVN4106F ZVN4106F数据手册

ZVN4106F封装设计

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