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NVMFS5826NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVMFS5826NL DFN5X6-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVMFS5826NL

NVMFS5826NL概述

    NVMFS5826NL: 电子元器件技术手册概述

    产品简介


    NVMFS5826NL 是由深圳市华轩阳电子有限公司(HXY)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该产品采用先进的沟槽工艺技术,具备出色的导通电阻(RDS(ON)),低栅极电荷,且能在低至4.5V的门极电压下运行。它适用于电池保护和开关应用,广泛应用于便携式电子设备、电源管理及负载开关等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (BVDSS) 60 V |
    | 源漏导通电阻 (RDS(ON)) 25 | mΩ
    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | 1.2 2.5 | V |
    | 最大连续漏电流 (ID) 30 | A
    | 峰值脉冲漏电流 (IDM) 46 | A
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) 25.5 | mJ
    | 栅源泄漏电流 (IGSS) ±100 | nA |
    | 总栅极电荷 (Qg) 12.6 | nC

    产品特点和优势


    NVMFS5826NL 主要特点是其低导通电阻(RDS(ON) < 25mΩ @ VGS=10V)和低栅极电荷(Qg < 12.6 nC)。这些特性使其在电池保护和负载开关应用中表现出色,能够有效降低功耗并提高系统效率。此外,其高可靠性设计和宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),使其在极端环境下仍能稳定运行,从而提升了市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护:该MOSFET可作为锂离子电池的保护电路,通过控制充放电过程中的电流和电压,保护电池免受过压、欠压和过流的影响。

    - 负载开关:在负载开关应用中,NVMFS5826NL 可用于精确控制负载的开启和关闭时间,减少开关损耗,提高系统的能效。
    使用建议:
    - 在电池保护应用中,建议将NVMFS5826NL与微控制器或其他逻辑电路配合使用,实现精准的电流和电压监测。
    - 在负载开关应用中,可以通过调整外部栅极电阻来优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    NVMFS5826NL 采用DFN5X6-8L封装,具有良好的互换性和安装灵活性。深圳市华轩阳电子有限公司提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够在项目开发过程中获得及时的技术支持和指导。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免热失控?
    - 解决方法:使用散热片或风扇增强散热效果,确保在高温环境中器件能够正常工作。具体可参考制造商提供的热阻参数进行计算。
    2. 问题:如何防止MOSFET损坏?
    - 解决方法:遵循最大额定值,避免过高的电压和电流冲击。此外,合理设计PCB布局,确保良好的散热和信号完整性。

    总结和推荐


    总体而言,NVMFS5826NL是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型MOSFET。其出色的导通电阻和低栅极电荷使其在电池保护和负载开关应用中表现出色。对于需要高效、高可靠性电子元器件的设计工程师来说,这款产品是一个不错的选择。推荐在相关应用中使用NVMFS5826NL,并结合实际需求进行合理配置和测试。

NVMFS5826NL参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -

NVMFS5826NL厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVMFS5826NL数据手册

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NVMFS5826NL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 2.0386
15000+ ¥ 2.0046
25000+ ¥ 1.9536
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