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ZXMN3A06DN8

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN3A06DN8 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN3A06DN8

ZXMN3A06DN8概述


    产品简介


    ZXMN3A06DN8 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的双 N-通道增强模式 MOSFET。这类器件在电池保护、负载开关及不间断电源等领域有广泛应用。它们能够提供极低的 RDS(ON),适用于较低的栅极电压操作(最低可至 2.5V),从而提高了能效并降低了功耗。

    技术参数


    - 漏源击穿电压 (BVDSS):30V
    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大连续漏电流 (ID):6A (TJ=25°C), 5A (TJ=70°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):30A
    - 总功耗 (PD):2W (TJ=25°C)
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 到 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 到 150°C
    - 最大热阻 (Rthj-a):362.5°C/W

    产品特点和优势


    - 高效率: ZXMN3A06DN8 采用先进的沟槽技术,提供了极低的 RDS(ON) 值,这使得它非常适合低功耗应用。
    - 宽工作电压范围: 支持最低 2.5V 的栅极电压操作,增强了其在不同应用中的灵活性。
    - 高性能: 在 4.5V 和 10V 的栅极电压下,RDS(ON) 分别小于 42mΩ 和 30mΩ,确保了出色的导通电阻。
    - 可靠性高: 具有广泛的温度适应性,可以在极端温度条件下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护: 由于其高可靠性和高效率,ZXMN3A06DN8 非常适合用于电池保护电路,确保电池安全且延长其使用寿命。
    - 负载开关: 它可以用于高效率的负载开关设计,尤其适用于需要频繁切换的应用。
    - 不间断电源: 可以作为不间断电源系统的组件,保证系统在断电时仍能正常运行。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,要注意散热设计,避免过热。
    - 确保栅极驱动电压满足产品规范,以实现最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: ZXMN3A06DN8 采用标准 SOP-8 封装,可以方便地与其他标准电子元件集成。
    - 支持: 供应商提供了详尽的技术支持和文档,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何选择合适的栅极驱动电压?
    - A: 最佳的栅极驱动电压取决于具体的应用需求。通常,在 4.5V 或 10V 的电压下,可以获得最佳性能。
    2. Q: 设备在高温环境下运行时,有哪些注意事项?
    - A: 在高温环境下,应特别注意散热设计,并确保设备的工作温度不超过其额定值。
    3. Q: 如何防止电磁干扰 (EMI)?
    - A: 使用屏蔽电缆和适当的接地设计可以有效减少 EMI。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN3A06DN8 是一款高性能、高可靠性的双 N-通道增强模式 MOSFET,适用于多种应用。其卓越的性能和广泛的温度适应性使其成为许多项目的理想选择。如果你正在寻找一款高效、稳定的 MOSFET,我们强烈推荐使用 ZXMN3A06DN8。

ZXMN3A06DN8参数

参数
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

ZXMN3A06DN8厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN3A06DN8数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN3A06DN8 ZXMN3A06DN8数据手册

ZXMN3A06DN8封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.6834
9000+ ¥ 0.672
15000+ ¥ 0.6549
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