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FDMS8880

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDMS8880 DFN5X6-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDMS8880

FDMS8880概述

    FDMS8880 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDMS8880 是一种由深圳华轩阳电子有限公司生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为 DFN5X6-8L。该器件适用于电池保护、负载开关和其他开关应用。它采用先进的沟槽技术制造,能够提供低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并且可以在最低 4.5V 的栅极电压下运行。

    2. 技术参数


    以下是 FDMS8880 的关键技术和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏电流 (ID): 25℃时 60A,100℃时 38A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 200A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 36mJ
    - 雪崩电流 (IAS): 50A
    - 总功率耗散 (PD): 25℃时 31W
    - 储存温度范围 (TSTG): -55℃ 至 150℃
    - 工作结温范围 (TJ): -55℃ 至 150℃
    - 结到环境热阻 (RθJA): 62℃/W
    - 结到外壳热阻 (RθJC): 27℃/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 30V
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1μA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS): ±100nA
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 1.2V 至 2.5V
    - 导通电阻 (RDS(ON)): VGS=10V 时 ≤8.5mΩ,VGS=4.5V 时 ≤14mΩ
    - 前向跨导 (GFS): 38S
    - 输入电容 (Ciss): 1317pF 至 1844pF
    - 输出电容 (Coss): 163pF 至 228pF
    - 反向传输电容 (Crss): 131pF 至 183pF

    3. 产品特点和优势


    FDMS8880 的主要特点和优势包括:
    - 先进的沟槽技术: 提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。
    - 宽电压范围: 支持 4.5V 至 30V 的栅极电压,确保广泛的应用适应性。
    - 高电流处理能力: 在 25℃ 时可以持续处理高达 60A 的电流。
    - 优异的热管理: 通过优化的封装设计和低热阻,能够在高温环境下保持稳定工作。
    - 高可靠性: 具备较高的单脉冲雪崩能量和雪崩电流,适合多种严苛应用环境。

    4. 应用案例和使用建议


    FDMS8880 广泛应用于电池保护、负载开关和不间断电源(UPS)等场景。以下是使用建议:
    - 电池保护: 由于其低 RDS(ON),可以有效降低电路中的损耗,提高整体效率。
    - 负载开关: 适用于需要快速开关操作的应用,例如电机控制和电源转换。
    - 不间断电源(UPS): 高电流处理能力和低导通电阻使其成为理想的功率开关选择。
    建议在使用时注意以下几点:
    - 确保电路中的栅极驱动电压符合产品规格要求,以避免损坏。
    - 使用适当的散热措施,特别是当设备长时间工作在高温环境中时。
    - 在关键应用中加入过流和短路保护,以增加系统的安全性。

    5. 兼容性和支持


    FDMS8880 与同类电子元器件具有良好的兼容性,适用于标准的 PCB 设计。深圳华轩阳电子有限公司为其产品提供详尽的技术支持和维护服务。用户可以通过官网获取详细的安装指南、应用手册和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:无法启动或工作不稳定
    - 解决办法: 检查电路中是否有合适的栅极驱动电压,确认连接正确无误。
    - 问题:设备过热
    - 解决办法: 使用散热片或其他散热装置,确保良好的热管理。
    - 问题:工作电压超出规定范围
    - 解决办法: 验证输入电压是否在允许范围内,并调整电源以确保安全工作条件。

    7. 总结和推荐


    总体而言,FDMS8880 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,特别适用于需要高效、可靠的开关应用场合。其优秀的电气特性和广泛的电压支持范围使其成为众多电子设备的理想选择。考虑到其在电池保护和负载开关领域的显著优势,我们强烈推荐将 FDMS8880 用于这些应用。
    请注意,用户在进行设计时务必遵循制造商的安全指导和推荐措施,确保最终产品具备足够的可靠性和安全性。

FDMS8880参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -

FDMS8880厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDMS8880数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDMS8880 FDMS8880数据手册

FDMS8880封装设计

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15000+ ¥ 1.3039
25000+ ¥ 1.2708
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