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FDN339AN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDN339AN SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDN339AN

FDN339AN概述

    FDN339AN N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDN339AN 是一款由华宣阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的沟槽技术,能够提供低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在2.5V的栅源电压下运行。这种器件适合用于电池保护或开关应用中,例如负载开关、不间断电源(UPS)等。

    2. 技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压(VDS):20V
    - 连续漏电流(TA=25℃):6A
    - 脉冲漏电流:15A
    - 最大功耗:1.25W
    - 绝对最大结温范围:-55℃ 至 150℃

    - 电气特性
    - 额定导通电阻(RDS(ON)):在VGS=4.5V时,RDS(ON) < 27mΩ;在VGS=2.5V时,RDS(ON) < 40mΩ
    - 输入电容(Clss):在VDS=8V、VGS=0V、F=1.0MHz时,Clss < 500pF
    - 输出电容(Coss):295pF
    - 反向传输电容(Crss):96pF
    - 开启延迟时间(td(on)):在VDD=10V、ID=1A时,td(on) < 11ns

    - 热阻
    - 结点到环境热阻(RθJA):100℃/W

    3. 产品特点和优势


    - 先进沟槽技术:使RDS(ON)低至27mΩ,降低能耗。
    - 低栅极电荷:使得驱动更容易,减少能量损失。
    - 宽泛的工作电压范围:能够在2.5V至20V之间工作,满足多种应用需求。
    - 紧凑封装:SOT-23-3L 封装尺寸小,适合空间受限的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:适用于电池管理系统中的过流保护,防止过载。
    - 负载开关:可用于负载控制电路,实现快速开关转换。
    - 不间断电源:提供稳定可靠的电源转换,确保设备在电源波动时正常工作。
    使用建议:
    - 确保在规定的工作温度范围内使用,避免超过绝对最大额定值。
    - 使用散热片以提高热稳定性。
    - 在设计电路时考虑热管理,确保长时间工作下的可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数标准SOT-23-3L封装的器件兼容,便于替换和升级。
    - 支持和维护:华宣阳电子有限公司提供详尽的技术支持和产品文档,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下使用时,器件温度过高。
    - 解决方法:使用散热片或增加通风设施,确保良好的热管理。
    - 问题:开启延迟时间较长。
    - 解决方法:调整驱动电路,降低栅极电荷。
    - 问题:输出电流不稳定。
    - 解决方法:检查连接线路和焊点,确保良好的电气连接。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDN339AN N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款具有高性价比的电子元器件,特别适合于电池保护和开关应用。其低导通电阻、低栅极电荷和宽泛的工作电压范围使其在各种应用中表现出色。强烈推荐在需要高效、稳定和可靠性能的电子系统中使用此器件。不过,在使用过程中要注意遵循制造商提供的使用指南,确保器件的安全性和可靠性。

FDN339AN参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

FDN339AN厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDN339AN数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDN339AN FDN339AN数据手册

FDN339AN封装设计

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