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NDS355AN

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NDS355AN SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NDS355AN

NDS355AN概述

    # 产品介绍:NDS355AN N-Channel MOSFET

    产品简介


    NDS355AN是一款由华轩阳电子科技有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的N沟道增强型MOSFET。这款产品广泛应用于电池保护、负载开关和不间断电源等领域。NDS355AN采用先进的沟槽技术制造,提供出色的低导通电阻(RDS(ON)),同时具备低栅极电荷的特点,可在栅极电压低至2.5V的情况下稳定运行。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(ID):4A
    - 脉冲漏电流(IDM):16.4A
    - 最大耗散功率(PD):1W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ,TSTG):-55°C 至 150°C
    - 热阻(Junction-to-Ambient,RθJA):125°C/W
    电气特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):30V
    - 零栅极电压漏电流(IDSS):≤ 1.0μA
    - 栅极体漏电流(IGSS):±100nA
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):1.0V 至 2.5V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(on)):@VGS=10V, ID=4A 时 ≤ 38mΩ;@VGS=4.5V, ID=3A 时 ≤ 65mΩ
    - 输入电容(Ciss):233pF
    - 输出电容(Coss):44pF
    - 反向传输电容(Crss):33pF
    - 总栅极电荷(Qg):3nC
    - 栅极源电荷(Qgs):0.5nC
    - 栅极漏电荷(Qgd):0.8nC

    产品特点和优势


    NDS355AN凭借其低导通电阻和低栅极电荷的优势,在电池保护和开关应用中表现出色。其在栅极电压低至2.5V的情况下依然能够稳定运行,使得它适用于多种电力管理电路中。此外,该产品的绝对最大额定值也为其在各种恶劣环境中提供了可靠保障。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:在便携式设备中使用NDS355AN可以有效防止过流和短路,延长电池寿命。
    - 负载开关:通过精确控制开关状态,NDS355AN能够提高系统的能源效率。
    - 不间断电源:其高可靠性使NDS355AN成为不间断电源系统中的关键组件。
    使用建议
    - 在使用NDS355AN进行电池保护设计时,确保设置合适的阈值电压,以避免误触发。
    - 对于负载开关的应用,要合理选择栅极驱动器的驱动能力,以保证快速且可靠的开关转换。
    - 在进行电源管理系统设计时,考虑到NDS355AN的热特性,确保其工作温度不超过最大额定值。

    兼容性和支持


    NDS355AN采用标准的SOT-23封装,易于与其他电子元件兼容,便于集成到现有电路中。制造商提供了详尽的技术支持,包括设计指导、样品请求和技术文档,帮助客户顺利集成和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何确保NDS355AN不会因过载而损坏?
    解决方案:在电路设计阶段设定适当的保护机制,如使用过流保护电路,并且避免长时间工作在超过额定电流的状态下。
    问题二:在高温环境下NDS355AN的性能是否会受到影响?
    解决方案:尽管NDS355AN可以在-55°C至150°C的宽广温度范围内正常工作,但在极端温度条件下,建议采取额外的散热措施以确保长期稳定运行。

    总结和推荐


    综上所述,NDS355AN是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,特别适合用于电池保护、负载开关及不间断电源等领域。其出色的电气特性和广泛的适用性使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐在需要高效、稳定电力管理的场合使用NDS355AN。

NDS355AN参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -

NDS355AN厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NDS355AN数据手册

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NDS355AN封装设计

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9000+ ¥ 0.2207
15000+ ¥ 0.2151
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