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ZXMP6A13F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMP6A13F SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMP6A13F

ZXMP6A13F概述

    ZXMP6A13F P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZXMP6A13F 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的P沟道增强型MOSFET。它采用了先进的沟槽技术设计,以实现较低的导通电阻(RDS(ON))并具有较低的栅极电荷(Qg)。该器件非常适合用于负载开关应用和脉冲宽度调制(PWM)电路中。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 最大漏源电压 (VDS): -60 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 漏极连续电流 (ID): -2 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -8 A
    - 最大功率耗散 (PD): 1.5 W
    - 工作结温范围: -55°C 至 150°C
    - 导通特性
    - 栅阈电压 (VGS(th)): -1.4 V 至 -2.6 V (VDS=VGS, ID=-250μA)
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - 在 VGS=-10V 时 < 160 mΩ (ID=-1.5A)
    - 在 VGS=-4.5V 时 < 200 mΩ (ID=-1.5A)

    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 444.2 pF
    - 输出电容 (Coss): 19.6 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 17.9 pF
    - 开关时间参数:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 40 ns
    - 开启上升时间 (tr): 35 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 15 ns
    - 关断下降时间 (tf): 10 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在不同栅极电压下的导通电阻非常低,适合用于需要高效开关的应用。
    - 高可靠性:能够在较宽的工作温度范围内可靠运行,适用于多种工业和消费电子设备。
    - 高性能栅极驱动:较低的栅极电荷(Qg)有助于快速开关,提高整体系统效率。
    - 广泛适用:适用于负载开关和PWM应用,为各种设计提供灵活性。

    4. 应用案例和使用建议


    ZXMP6A13F MOSFET 常用于负载开关和PWM控制器中。例如,在电源管理模块中作为负载开关,可以有效地控制电流的通断。在PWM应用中,它可以用于调节输出电压,实现高效的能量转换。
    使用建议:
    - 确保栅极电压在规定范围内,避免超过最大栅源电压±20V。
    - 选择合适的散热措施,确保器件工作温度不超过150°C,以延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    ZXMP6A13F MOSFET 采用SOT-23封装,易于焊接和集成。Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 提供全面的技术支持,包括产品手册、应用指南和样品测试。客户可以联系最近的销售代表获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:导通电阻过高
    - 解决方法:检查栅极电压是否在推荐范围内。如果电压不足,可以通过外部驱动电路增加栅极电压。
    - 问题:功率耗散过大
    - 解决方法:增加散热措施,如使用散热片或风扇,以降低工作温度。
    - 问题:切换速度慢
    - 解决方法:检查电路设计,确保栅极驱动信号正确且足够强,或者更换更高性能的MOSFET型号。

    7. 总结和推荐


    ZXMP6A13F MOSFET 在导通电阻、栅极电荷和温度稳定性方面表现出色,适用于多种负载开关和PWM应用。其紧凑的SOT-23封装使其易于集成到现有的电路板设计中。综上所述,这款产品是高性能、高可靠性的理想选择,强烈推荐在相关应用中使用。

ZXMP6A13F参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
通道数量 -

ZXMP6A13F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMP6A13F数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMP6A13F ZXMP6A13F数据手册

ZXMP6A13F封装设计

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9000+ ¥ 0.3811
15000+ ¥ 0.3715
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