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ZXMN6A07F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN6A07F SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN6A07F

ZXMN6A07F概述

    ZXMN6A07F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    ZXMN6A07F 是由华宣阳电子(深圳华宣阳电子有限公司)生产的N沟道增强型MOSFET。它具有低导通电阻、低门极电荷以及可在低至2.5V的门极电压下运行的优点。此器件适用于电池保护、开关电源等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 门源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 3A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 10A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 1.7W
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J,TSTG} \): -55°C 至 150°C
    - 结到环境的热阻 \( R{\theta JA} \): 73.5°C/W
    - 典型电气和热特性:
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 0.8V 至 1.3V
    - 导通电阻 \( R{DS(ON)} \): 85mΩ @ 10V 门极电压
    - 输入电容 \( C{iss} \): 510pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 34pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 26pF @ 30V, 0V \( V{GS} \)
    - 开关时间参数(如开启延迟时间 \( t{d(on)} \), 开启上升时间 \( tr \), 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \), 关闭下降时间 \( tf \) 等)

    3. 产品特点和优势


    - 先进工艺技术:采用先进的沟槽技术,使得器件具备较低的 \( R{DS(ON)} \) 和低门极电荷。
    - 低门极电压操作:最低可操作于2.5V门极电压,适用于低压电路设计。
    - 广泛应用:适合用于电池保护、负载开关和不间断电源系统等。
    - 高可靠性:符合严格的额定条件,确保长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:可有效防止过流、短路等情况,保障电池安全。
    - 负载开关:快速响应的开关特性,可用于电源管理和控制。
    - 不间断电源:保证电源的连续性,避免因供电中断引起的故障。
    使用建议:
    - 在电池保护应用中,可以结合外部保护电路以提高整体系统的可靠性。
    - 在电源管理系统中,应考虑合理的散热设计,以降低工作温度并延长使用寿命。

    5. 兼容性和支持


    - 封装:SOT-23封装,方便焊接和安装。
    - 制造商支持:华宣阳电子提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的门极电阻?
    - 解决办法:根据应用需求选择合适的门极电阻,一般情况下建议门极电阻值为1Ω。

    - 问题2:如何测量导通电阻 \( R{DS(ON)} \)?
    - 解决办法:使用万用表或专用仪器,在指定的门极电压和电流条件下进行测量。

    7. 总结和推荐


    ZXMN6A07F 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,具备优异的电气特性和广泛的应用场景。其低导通电阻和低门极电荷特性使其非常适合用于各种开关应用。此外,华宣阳电子提供的技术支持也是一大亮点。因此,我们强烈推荐这款产品用于需要高性能MOSFET的应用场合。

ZXMN6A07F参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -

ZXMN6A07F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN6A07F数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN6A07F ZXMN6A07F数据手册

ZXMN6A07F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.3516
15000+ ¥ 0.3427
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