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AON6407

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: AON6407 DFN5X6-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) AON6407

AON6407概述

    # AON6407 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    AON6407 是一款由深圳华煊阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的P沟道增强型功率场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。它采用了先进的沟槽工艺,具有极低的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和可承受低至4.5V的栅极电压。这些特点使得AON6407非常适合用于电池保护和开关应用。主要的应用领域包括电池保护、负载开关和不间断电源系统(UPS)。

    技术参数


    AON6407的主要技术规格如下:
    - 漏源击穿电压(BVDSS):-30V
    - 持续漏极电流(ID):-100A(在25℃时),-70A(在100℃时)
    - 脉冲漏极电流(IDM):-250A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):80mJ
    - 漏源漏电流(IDSS):-1μA
    - 栅极源漏电流(IGSS):±100nA
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):4.0mΩ(在VGS=-10V, ID=-20A时)
    - 开关时间(Tr, Tf, Td(on), Td(off)):40ns, 13ns, 17ns, 55ns
    - 输入电容(Ciss):3450pF
    - 输出电容(Coss):255pF
    - 反向传输电容(Crss):140pF

    产品特点和优势


    AON6407具有以下几个显著的特点和优势:
    1. 低导通电阻:RDS(ON)仅为4.0mΩ(在VGS=-10V, ID=-20A时),保证了极低的导通损耗。
    2. 高可靠性:适用于高温环境(最高可达150℃)和高压(最高可达-30V)。
    3. 快速开关性能:极短的开关时间(例如Tr为40ns,Tf为13ns)保证了高速开关能力。
    4. 优秀的耐雪崩能力:EAS高达80mJ,使其在电路中能承受较大的瞬态电流。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护:作为电池管理系统的一部分,防止过流和过压,保护电池寿命。
    2. 负载开关:用于控制不同负载的开启和关闭,实现高效节能。
    3. 不间断电源(UPS):提供稳定可靠的电力供应,在电源中断时无缝切换到备用电源。
    使用建议
    - 在电池保护应用中,应注意合理配置保护电路,避免误动作导致设备停机。
    - 在高功率负载开关中,考虑散热设计,确保MOSFET的正常运行温度不超过最大允许值。
    - 在UPS应用中,选择合适的外围电路,如滤波器和储能元件,以应对瞬态电流冲击。

    兼容性和支持


    AON6407采用DFN5X6-8L封装,尺寸为5.8mm x 4.9mm x 0.9mm。它与大多数标准电路板兼容。此外,制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术咨询,帮助用户更好地利用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 产品过热:工作温度超出安全范围。
    2. 漏电流过大:长期工作后导通电阻增加。
    3. 开关速度慢:未能达到预期的开关时间。
    解决方案
    1. 过热问题:优化散热设计,使用散热片或冷却风扇。
    2. 漏电流问题:检查电路连接是否正确,必要时更换新的MOSFET。
    3. 开关速度慢:确保栅极驱动电压足够高,优化外围电路的设计。

    总结和推荐


    AON6407是一款高性能的P沟道增强型MOSFET,具备出色的导通电阻、快速开关能力和良好的热稳定性。它适用于多种应用场景,尤其适合对温度和可靠性要求较高的场合。总体而言,我们强烈推荐这款产品给需要高性能P沟道MOSFET的应用开发者和工程师。

AON6407参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

AON6407厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

AON6407数据手册

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AON6407封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 1.2566
25000+ ¥ 1.2246
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