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FDS6675

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDS6675 SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDS6675

FDS6675参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -

FDS6675厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS6675数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS6675 FDS6675数据手册

FDS6675封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.7752
9000+ ¥ 0.7623
15000+ ¥ 0.7429
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 2325.6
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