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FDS6675

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDS6675 SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDS6675

FDS6675概述

    FDS6675 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDS6675 是一款采用先进沟槽技术制造的P通道增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及能够在低至2.5V的栅极电压下运行的特点。它适用于电池保护和开关应用等多种场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDS = -30V
    - 最大电流:ID = -12A (在TA=25°C)
    - 导通电阻:RDS(ON) < 13mΩ (在VGS=10V)
    - 存储温度范围:TSTG = -55°C 至 150°C
    - 工作温度范围:TJ = -55°C 至 150°C
    - 热阻抗:Rthj-a = 350°C/W
    - 其他电气特性:
    - 最大脉冲漏电流:IDM = -40A
    - 总功耗:PD = 2.5W (在TA=25°C)

    3. 产品特点和优势


    FDS6675 的主要优势在于其卓越的RDS(ON)特性,低至2.5V的驱动电压使其非常适合用于便携式设备。此外,其高可靠性、低功耗和宽泛的工作温度范围使其在各种应用场景中表现出色。这些特点使其在市场上具有较强的竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:FDS6675 可以作为电池保护电路中的关键元件,有效防止过流和短路。
    - 负载开关:在负载开关应用中,FDS6675 可以快速响应并提供稳定的输出。
    - 不间断电源:在UPS系统中,FDS6675 可以实现高效的能量转换和管理。
    使用建议:
    - 在设计电池保护电路时,确保FDS6675的驱动电压不超过其额定值,以避免损坏。
    - 在负载开关应用中,合理选择栅极电阻以优化开关速度和功耗。
    - 在UPS系统中,注意散热设计,以保持器件在正常工作温度范围内。

    5. 兼容性和支持


    FDS6675 支持SOP-8封装,与多种电路板兼容。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户进行产品选型和应用开发。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定FDS6675的最大电流?
    - 解答:查阅数据手册中的额定电流参数,确保不超过ID = -12A (在TA=25°C) 的限制。

    - 问题:FDS6675 的热管理如何处理?
    - 解答:通过有效的散热设计,如增加散热片或使用散热胶,确保器件的温度不超过150°C。

    7. 总结和推荐


    FDS6675 是一款高性能、高可靠性的P通道增强型MOSFET,适用于电池保护、负载开关和不间断电源等多种应用场景。其低导通电阻、低栅极电荷和宽泛的工作温度范围使其成为市场上极具竞争力的产品。强烈推荐在相关应用中使用FDS6675。
    通过上述分析,我们可以看到FDS6675 在技术参数、应用案例和使用建议方面都表现出色,是一款值得推荐的产品。

FDS6675参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -

FDS6675厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS6675数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS6675 FDS6675数据手册

FDS6675封装设计

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9000+ ¥ 0.7623
15000+ ¥ 0.7429
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