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FDS6975

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDS6975 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDS6975

FDS6975概述

    FDS6975 Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    FDS6975 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 制造的双沟道P沟道增强型MOSFET。这款产品采用先进的沟槽技术设计,旨在提供出色的低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。它广泛应用于PWM应用和其他负载开关领域。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | -30 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | -11 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | -40 | A |
    | 最大功率耗散 (PD) | 3.7 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 至 150 | ℃ |
    | 热阻(结到环境) (RθJA) | 33.8 | ℃/W |
    电气特性:
    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 击穿电压 (V(BR)DSS) | - | - | -30 | V |
    | 零栅极电压漏极电流 (IDSS)| - | - | -1 | μA |
    | 栅体泄漏电流 (IGSS) | - | - | ±100 | nA |
    | 栅阈电压 (VGS(th)) | -1.0 | -1.6 | -2.5 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | 14 | 18 | mΩ |
    | 输入电容 (Ciss) | - | 1330 | - | pF |
    | 输出电容 (Coss) | - | 183 | - | pF |
    | 反向传输电容 (Crss) | - | 156 | - | pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) | - | 22 | - | nC |

    产品特点和优势


    FDS6975 的主要特点包括:
    - 低栅极电荷和高击穿电压。
    - 极低的导通电阻(在VGS=-10V时小于18mΩ,在VGS=-4.5V时小于27mΩ)。
    - 适用于广泛的PWM应用和负载开关设计。
    - 高可靠性,具有良好的热稳定性和耐用性。
    这些特点使其在市场上具有很强的竞争优势,特别适合于需要高可靠性的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - PWM控制器:用于电动机控制、电源管理和照明系统。
    - 负载开关:用于电池管理系统和电源转换。
    使用建议:
    - 在设计PWM应用时,考虑到高效率要求,选择合适的栅极驱动器以确保快速开关。
    - 在高温环境中使用时,应注意散热设计以避免过热。

    兼容性和支持


    FDS6975 支持标准SOP-8封装,易于集成到现有电路板设计中。厂商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,确保用户能够顺利地将该产品集成到他们的系统中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下器件过热 | 使用散热片或优化散热设计 |
    | 电路性能不稳定 | 确保输入电压在额定范围内 |
    | 无法实现预期的切换速度 | 检查栅极驱动器和连接线 |

    总结和推荐


    综上所述,FDS6975 双P沟道增强型MOSFET是一款高性能、高可靠性的电子元件。它在多种应用中表现出色,特别是在PWM应用和负载开关方面。强烈推荐给需要高效、可靠的电子设计师和制造商。厂商提供的技术支持和详细的规格参数确保了用户可以轻松地将产品集成到他们的项目中。

FDS6975参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -

FDS6975厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS6975数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS6975 FDS6975数据手册

FDS6975封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.1616
9000+ ¥ 1.1422
15000+ ¥ 1.1132
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