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ZXMN3A01F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN3A01F SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN3A01F

ZXMN3A01F概述

    # ZXMN3A01F N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    ZXMN3A01F 是一款由华轩阳(深圳华轩阳电子有限公司)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺制造,旨在提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,能够在低至 2.5V 的栅极电压下操作。它主要用于电池保护和开关应用,具有广泛的适用性。
    主要功能
    - 电池保护:用于检测和控制电池状态。
    - 开关应用:如负载开关和不间断电源系统(UPS)。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):4A
    - 脉冲漏电流 (IDM):16.4A
    - 最大功耗 (PD):1W
    - 结温与存储温度范围 (TJ, TSTG):-55°C 到 150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, RθJA):125°C/W
    电气特性
    - 击穿电压 (V(BR)DSS):30V
    - 零栅极电压漏电流 (IDSS):1.0μA
    - 栅体泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 1.0V 至 2.5V
    - 静态导通电阻 (RDS(ON)):@ VGS=10V, ID=4A,最大 38mΩ
    - 输入电容 (Ciss):233pF
    - 输出电容 (Coss):44pF
    - 反向传输电容 (Crss):33pF
    - 总栅极电荷 (Qg):3nC
    - 导通延时时间 (td(on)):4ns
    - 关断延时时间 (td(off)):15ns
    - 最大持续漏电流 (IS):4A
    - 最大脉冲漏电流 (ISM):16A
    - 二极管正向电压 (VSD):1.2V

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻:38mΩ(在 10V 时)
    - 高可靠性:适用于多种恶劣环境条件
    - 高栅极电压范围:±20V,确保稳定运行
    - 低栅极电荷:减少开关损耗
    优势
    - 高效率:低 RDS(ON) 和低栅极电荷使得 MOSFET 在开关模式应用中表现出色。
    - 宽温度范围:可在极端温度下正常工作。
    - 高可靠性:适用于工业和汽车电子等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:防止电池过充或过放电。
    - 负载开关:在电路中进行快速切换。
    - 不间断电源系统 (UPS):保证关键设备在断电情况下的持续供电。
    使用建议
    - 散热管理:考虑到 1W 的最大功耗,需要有效的散热设计以避免过热。
    - 布局优化:在 PCB 设计中合理安排栅极走线以减少寄生电容。
    - 测试验证:在实际应用前进行全面的电气和热特性测试。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 引脚定义:PIN2-D, PIN1-G, PIN3-S
    - 封装类型:SOT-23
    - 与同类器件的兼容性良好,易于替换和升级现有设计。
    支持
    - 技术支持:制造商提供详细的技术文档和支持服务。
    - 采购渠道:可通过官方渠道订购,确保质量和供应。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确安装?
    - 解决方案:参考手册中的封装和布局建议,确保引脚连接正确且布局合理。
    2. 如何处理过热问题?
    - 解决方案:增加散热片或使用散热器,确保良好的热管理。
    3. 如何选择合适的栅极驱动器?
    - 解决方案:根据手册中的栅极电荷和开关速度要求选择合适的驱动器。

    总结和推荐


    综合评估
    ZXMN3A01F 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型 MOSFET,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷特性,非常适合于电池保护和开关应用。其宽温度范围和高可靠性使其适用于工业和汽车电子领域。
    推荐使用
    强烈推荐将 ZXMN3A01F 用于需要高效率和高可靠性的应用场合,特别是在电池管理和开关电源系统中。

ZXMN3A01F参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
栅极电荷 -

ZXMN3A01F厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN3A01F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 ZXMN3A01F ZXMN3A01F数据手册

ZXMN3A01F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1714
9000+ ¥ 0.1685
15000+ ¥ 0.1642
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