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NTMFS4C027N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTMFS4C027N DFN5X6-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTMFS4C027N

NTMFS4C027N概述

    # NTMFS4C027N N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTMFS4C027N 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD(HXYY)设计和制造的N沟道增强型MOSFET(N-SGT Enhancement Mode MOSFET)。这种MOSFET采用先进的SGT技术,具有低导通电阻、低门极电荷、快速开关和卓越的雪崩特性。该产品适用于多种消费电子产品电源管理、电机控制、同步整流和隔离式直流变换器等领域。

    技术参数


    以下是 NTMFS4C027N 的主要技术参数:
    - 封装:DFN5X6-8L(SO-8-FL-5.8mm)
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 门极源极电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID@TC=25℃):60A
    - 脉冲漏极电流(IDM):135A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):29.8mJ
    - 总功耗(PD@TC=25℃):30W
    - 存储温度范围(TSTG):-55至150℃
    - 工作结温范围(TJ):-55至150℃
    - 结-壳热阻(RθJC):4.6℃/W
    - 电气特性(TJ=25℃):
    - 漏源击穿电压(BVDSS):30V
    - 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):VGS=10V时,4.4mΩ~5.8mΩ;VGS=4.5V时,6.9mΩ~9mΩ
    - 门极阈值电压(VGS(th)):1.2V~2.5V
    - 漏源漏电流(IDSS):VDS=24V时,TJ=25℃下,≤1μA
    - 门极-源极漏电流(IGSS):VGS=±20V时,≤±100nA
    - 前向跨导(gfs):67S
    - 门极电阻(Rg):1.7Ω
    - 总门极电荷(Qg):8nC
    - 关断延迟时间(Td(off)):15ns
    - 逆恢复时间(trr):15ns
    - 逆恢复电荷(Qrr):25nC

    产品特点和优势


    NTMFS4C027N 的独特之处在于其先进的SGT技术,使得它具备如下特点:
    - 低导通电阻:VGS=10V时,RDS(ON)<5.8mΩ,这有助于降低功耗和提高效率。
    - 低门极电荷:门极电荷Qg为8nC,有助于减少开关损耗,提高电路的整体效率。
    - 快速开关:关断延迟时间为15ns,提高了开关频率和整体性能。
    - 优异的雪崩特性:单脉冲雪崩能量高达29.8mJ,增强了产品在极端条件下的可靠性。
    这些特点使其成为消费电子、电机控制和同步整流应用的理想选择,尤其是在要求高效率和可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 消费电子电源管理:由于其低功耗和高效能,NTMFS4C027N 在消费电子产品的电源管理模块中表现出色,如手机充电器、笔记本电脑适配器等。
    2. 电机控制:在需要精确控制和高效驱动的电机控制系统中,NTMFS4C027N 可以显著提高系统效率和稳定性。
    3. 同步整流:在同步整流应用中,该MOSFET能够有效降低反向恢复损失,提高整体系统的效率。
    使用建议
    - 布局优化:为了确保最佳性能,在PCB设计中要避免长走线和不必要的寄生电容,尽量将MOSFET靠近负载和电源。
    - 散热管理:考虑到高功耗特性,合理安排散热片或散热风扇以确保器件不会过热,延长使用寿命。
    - 保护措施:在实际应用中加入过压保护、过流保护等安全机制,以防止异常情况导致器件损坏。

    兼容性和支持


    NTMFS4C027N 可以与常见的DC-DC转换器和电源管理IC兼容。厂商提供了详细的技术支持文档和样品申请服务,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定MOSFET的最大工作温度?
    2. 开关损耗过大怎么办?
    3. 如何改善散热效果?
    解决方案
    1. 最大工作温度:查看技术手册中的绝对最大额定值部分,TJ最大可达150℃。实际应用中,可以通过降额使用(如限制负载电流)来确保温度不超出安全范围。
    2. 开关损耗过大:检查电路中的门极驱动信号是否足够强,以确保MOSFET快速开通和关断。如果有必要,可以增加驱动电阻或使用专门的驱动IC。
    3. 改善散热效果:通过增加散热片或采用散热更好的封装形式,或者在散热路径上添加散热膏,可以有效降低器件温度。

    总结和推荐


    综上所述,NTMFS4C027N 是一款高性能、高可靠的N沟道MOSFET,特别适合于消费电子、电机控制和同步整流应用。其低导通电阻、快速开关特性和出色的雪崩特性使其在众多竞争产品中脱颖而出。强烈推荐在相关应用中采用此产品。为了充分发挥其潜力,建议仔细考虑电路设计和散热管理等方面的细节,以实现最佳性能。

NTMFS4C027N参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -

NTMFS4C027N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTMFS4C027N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTMFS4C027N NTMFS4C027N数据手册

NTMFS4C027N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 2.006
25000+ ¥ 1.955
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