处理中...

首页  >  产品百科  >  FDY300NZ

FDY300NZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDY300NZ SOT-523
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDY300NZ

FDY300NZ概述

    FDY300NZ N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDY300NZ 是由深圳华轩阳电子有限公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种MOSFET 主要用于电池保护、负载开关、不间断电源等应用场合。FDY300NZ 具有优异的 RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷等特点,并且能够在最低2.5V的栅极电压下正常工作,非常适合用于开关应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = 250µA | 20 V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | VDS = 20V, VGS = 0V | 1 µA |
    | 栅体漏电流 | IGSS | VGS =±8V, VDS = 0V | ±10 µA |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250µA | 0.5 | 0.7 | 1.0 | V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 4.5V, ID = 0.5A | 0.25 0.36 | Ω |
    | 栅极-源极电压 | VGS ±8 V |
    | 漏极-源极电压 | VDS 20 V |
    | 漏极连续电流 | ID0 0.8 A |
    | 最大耗散功率 | P的最大值 0.15 W |
    | 热阻 | RθJA 850 °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ,TSTG -55 | 150 ℃ |

    产品特点和优势


    FDY300NZ 具有多种优势,使其在市场上具有竞争力:
    - 低导通电阻 (RDS(ON)): RDS(ON) 在 VGS = 4.5V 时为 0.25Ω,在 VGS = 2.5V 时为 0.36Ω。这使得它在电力管理应用中非常高效。
    - 低栅极电荷: 有助于提高开关速度和降低能耗。
    - 低阈值电压: 可以在低至 2.5V 的电压下工作,适用范围广泛。
    - 适用于多种应用场景: 包括电池保护、负载开关和不间断电源等。

    应用案例和使用建议


    FDY300NZ 可以广泛应用于电池保护电路中,例如智能手机、平板电脑等便携式设备的电池保护。在这些应用中,FDY300NZ 能够有效保护电池免受过充和过放电的危害。对于负载开关应用,可以考虑将 FDY300NZ 用于电源管理模块,以实现高效的开关控制。
    使用建议:
    - 在选择合适的驱动电路时,确保其能提供所需的栅极电压。
    - 使用过程中应注意散热设计,避免由于热阻过高而导致的性能下降。
    - 在特定的应用环境中,可以考虑添加额外的保护电路,如过流保护等,以进一步提升系统可靠性。

    兼容性和支持


    FDY300NZ 采用 SOT-523 封装,易于表面贴装,并且具有较高的可焊性。该产品与其他常见的电子元器件具有良好的兼容性,适用于大多数现代电子设备的设计。公司提供了详细的技术支持文档和客户咨询服务,以帮助客户解决设计和应用中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: FDY300NZ 的最大栅极电压是多少?
    - A: FDY300NZ 的最大栅极电压为 ±8V。
    - Q: FDY300NZ 的最大连续漏极电流是多少?
    - A: FDY300NZ 的最大连续漏极电流为 0.8A。
    - Q: 如何选择合适的栅极驱动电压?
    - A: 推荐使用 VGS = 4.5V 或 VGS = 2.5V 这两个典型值之一,具体取决于应用场景需求。

    总结和推荐


    FDY300NZ N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具有低导通电阻、低栅极电荷和宽工作电压范围等优点。它的应用范围广泛,适合于各种电力管理和控制系统。鉴于其出色的性能和广泛的适用性,强烈推荐在相关项目中选用 FDY300NZ。

FDY300NZ参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

FDY300NZ厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDY300NZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDY300NZ FDY300NZ数据手册

FDY300NZ封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.3295
9000+ ¥ 0.324
15000+ ¥ 0.3158
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 988.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336