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FDD8447L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDD8447L TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDD8447L

FDD8447L概述

    FDD8447L N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDD8447L 是一款由华轩阳(Huaxuanyang)电子有限公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它适用于电池保护和开关应用等领域。此款 MOSFET 使用先进的沟槽技术,提供卓越的 RDS(ON)、低栅极电荷,并可在最低 4.5V 的栅极电压下正常运行。

    2. 技术参数


    以下是 FDD8447L 的关键技术和电气特性参数:
    - 额定电压 (VDS):40V
    - 连续漏极电流 (ID):60A (TC=25°C),45A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):220A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):416.1 mJ
    - 热阻 (RθJA):62 °C/W
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 至 150°C
    - 关断特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):40V 至 45V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):≤ 1 μA
    - 栅极-体泄漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 导通特性
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):1.2V 至 2.0V
    - 导通状态电阻 (RDS(ON)):7.0mΩ 至 8.5mΩ (VGS=10V),15mΩ 至 18mΩ (VGS=4.5V)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss):≤ 1800 pF
    - 输出电容 (Coss):280 pF
    - 反向转移电容 (Crss):190 pF
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td(on)):6.4 nS
    - 关闭延迟时间 (td(off)):29.6 nS
    - 其他特性
    - 正向二极管导通电压 (VSD):≤ 1.2V
    - 反向恢复时间 (trr):29 nS
    - 反向恢复电荷 (Qrr):26 nC

    3. 产品特点和优势


    FDD8447L 的独特功能和优势包括:
    - 低栅极电荷:FDD8447L 的低栅极电荷特性使其非常适合高频开关应用。
    - 卓越的 RDS(ON):其在高电流下的低导通电阻可有效降低功耗并提高效率。
    - 宽工作电压范围:支持低至 4.5V 的栅极电压,增加了其适用性。
    - 强大的雪崩能力和高可靠性:能承受高达 220A 的脉冲电流和 416.1 mJ 的雪崩能量。

    4. 应用案例和使用建议


    FDD8447L 可用于多种应用场合,例如:
    - 电池保护:在电源系统中用于防止过流和短路。
    - 负载开关:实现高效且可靠的开关控制。
    - 不间断电源:作为 UPS 系统的关键组件,确保电源连续性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑 FDD8447L 的高雪崩能量和宽工作温度范围,确保电路稳定可靠。
    - 针对高温应用,选择适当的散热措施以保持低工作温度。

    5. 兼容性和支持


    - 封装信息:采用 TO-252-2L 封装,支持表面贴装工艺。
    - 制造商支持:华轩阳电子提供详细的技术文档和应用指南,以及客户服务和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确使用 FDD8447L?
    - A: 严格按照数据手册中的推荐条件操作,确保在安全范围内使用。

    - Q: FDD8447L 在高温环境下的表现如何?
    - A: FDD8447L 在 -55°C 至 150°C 的工作温度范围内表现出色,确保在该温度范围内稳定工作。
    - Q: 如何选择合适的散热片来提高散热效果?
    - A: 参考数据手册中的热阻信息,选择适合的散热片和散热方案。

    7. 总结和推荐


    FDD8447L 是一款功能强大且性能卓越的 N 沟道增强型 MOSFET。它的低栅极电荷、低导通电阻、高雪崩能力等特性使其在电池保护和开关应用中表现出色。无论是需要高性能还是高可靠性的场合,FDD8447L 都是一个理想的选择。因此,我们强烈推荐 FDD8447L 用于各种开关和保护电路中。
    以上是对 FDD8447L N-Channel Enhancement Mode MOSFET 的详细介绍。希望这些信息能够帮助您更好地理解和应用这款优秀的电子元器件。

FDD8447L参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 -

FDD8447L厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDD8447L数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDD8447L FDD8447L数据手册

FDD8447L封装设计

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